电针“百会”穴对大鼠记忆保持能力的影响及海马区fos蛋白的表达

目的 :观察电针“百会”穴对正常大鼠学习记忆能力的影响 ,这一影响和fos蛋白在海马区的表达有无相关性。方法 :利用智能Morris水迷宫检测大鼠的学习记忆能力 ,利用免疫组化方法 ,结合病理图像分析仪检测fos蛋白的表达情况。结果 :连续电针“百会”穴 3天后 ,实验组大鼠在智能Morris水迷宫内找到平台的时间和游泳的路程与对照组相比均缩短 (P <0 0 5) ,海马区fos蛋白大量表达 ,与对照组比较 ,差异显著 (P <0 0 1)。结论 :针刺“百会”可以提高大鼠记忆保持能力 。

大鼠记忆保持能力与相关脑区突触界面结构的相关性

采用一次性被动回避反应的大鼠模型 ,以STL为指标将大鼠分为记忆保持良好组和记忆保持低劣组 .通过超微结构定量分析 ,发现记忆保持良好组海马CA3 区和大脑皮质感觉运动区的突触后膜致密物质均显著地密于记忆保持低劣组 .同时 ,记忆保持良好组出现了棘器和穿孔性突触 ,而记忆低劣组没有出现 .另外 ,还测量了突触界面曲率、突触活性区长度和突触间隙宽度 ,所得数据在 2组间无显著性差异 .结果提示 :突触后膜致密物质厚度与记忆保持的程度密切相关 。

ERK信号转导通路与糖尿病性认知功能障碍的研究进展

糖尿病（Diabetes Mellitus,DM）是一组以慢性血糖水平增高为主要特征的多因素疾病,发病率极高,预计到2030年患糖尿病的人数将由2000年的1.71亿上升到3.66亿[1]。糖尿病认知功能障碍（cognitive impairment in diabetes,CID）是糖尿病的慢性并发症之一,临床表现主要为轻、中度的认知能力减退,以及学习和记忆能力下降[2]。