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随机掺杂波动引起的6T SRAM访问失效率分析
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作者 柏娜 吕百涛 +1 位作者 杨军 时龙兴 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期599-602,616,共5页
对6T SRAM的访问时间进行解析,得到在随机掺杂波动影响下6T SRAM访问时间的模型,结果与HSPICE仿真结果相符。通过分析偏置技术与访问失效率的密切关系,提出采用偏置技术降低存储单元访问失效率的方法。
关键词 随机掺杂波动 SRAM 访问失效率 偏置控制技术
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