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随机掺杂波动引起的6T SRAM访问失效率分析
1
作者
柏娜
吕百涛
+1 位作者
杨军
时龙兴
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期599-602,616,共5页
对6T SRAM的访问时间进行解析,得到在随机掺杂波动影响下6T SRAM访问时间的模型,结果与HSPICE仿真结果相符。通过分析偏置技术与访问失效率的密切关系,提出采用偏置技术降低存储单元访问失效率的方法。
关键词
随机掺杂波动
SRAM
访问失效率
偏置控制技术
下载PDF
职称材料
题名
随机掺杂波动引起的6T SRAM访问失效率分析
1
作者
柏娜
吕百涛
杨军
时龙兴
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
新加坡国立大学超大规模集成电路与系统设计实验室
安徽大学电子信息工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期599-602,616,共5页
基金
国家建设高水平大学公派研究生基金资助项目
文摘
对6T SRAM的访问时间进行解析,得到在随机掺杂波动影响下6T SRAM访问时间的模型,结果与HSPICE仿真结果相符。通过分析偏置技术与访问失效率的密切关系,提出采用偏置技术降低存储单元访问失效率的方法。
关键词
随机掺杂波动
SRAM
访问失效率
偏置控制技术
Keywords
Random dopant fluctuation
SRAM
Access failure probability
Bias control technology
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
随机掺杂波动引起的6T SRAM访问失效率分析
柏娜
吕百涛
杨军
时龙兴
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
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