三菱电机SiC-MOSFET,用高抑制误开通能力带你乘风破浪

近年来,从节能和环保的观点出发,业界对于可大幅降低功率损耗的SiC功率半导体的期待与日俱增。自2010年起,三菱电机就搭载了SiC-SBD※1或SiC-MOSFET※2的SiC功率半导体模块。此次,三菱电机新开发功率半导体「SiC-MOSFET 1200V N-系列」,该系列产品具有低功率损耗和高抑制误开通能力,有助于需要功率变换的高压车载充电器和太阳能发电等各种电源系统低功耗化及小型化。该系列6个品种的样品将于2020年7月开始提供。

特高压直流输电系统换流站内部故障电磁暂态响应特性及控制策略

以云广±800kV直流输电系统为例,基于PSCAD/EMTDC搭建仿真模型,研究换流站内部阀误开通和不开通2种故障工况,仿真分析整流站和逆变站内部分别发生阀误开通和不开通故障的情况,并对故障引起的系统电磁暂态过程及相应的控制系统策略进行了深入研究。得出以下结论:1)逆变阀发生误开通故障时,会引起换相失败,同时在极线上会出现过电流。但由于一般不会连续发生误开通故障,因而不会出现振荡过电流和过电压;2)整流阀发生误开通故障的可能性比较小,即使开通也仅是提前开通,因此对直流系统的影响比较小;3)逆变侧发生连续不开通故障比整流侧发生连续不开通故障所引起的直流电流振荡幅值大,同时引起的中性线过电压及对负极的影响也大;4)双极运行时,一极发生连续不开通或发生单次误开通,会对另一极运行有影响,引起较小波动。但是该健全极仍可运行,传输一半的功率;5)当故障引起直流电流、电压较大振荡时,整流侧控制系统通过定电流控制与αmin之间的切换来实现系统快速恢复,逆变侧则通过定关断角控制和定电流控制之间的相互切换,使系统快速恢复正常。

直流输电整流器阀故障特征研究

在PSCAD/EMTDC环境下搭建仿真模型,研究了高压直流输电整流器的阀故障,仿真分析了整流站内部分别发生阀不开通和误开通故障的情况,并对故障引起的系统暂态过程和相应的控制策略进行了研究,得出有指导意义的结论。