急性脑梗死脑磁图脑诱发磁场发生源空间位置特征研究

目的:研究急性脑梗死患者体感皮层中枢和听觉皮层中枢脑磁图(MEG)变化特征。方法:对15例急性脑梗死患者于发病后3-4周进行体感诱发磁场(SEFs)和听觉诱发磁场(AEFs)检测,同时检测健康志愿者作为对照。SEFs电刺激部位为腕部正中神经处,电流脉冲宽度0.3ms,刺激间隔0.5s。AEFs采用双耳纯音刺激,频率2KHz,声音强度90dB,刺激间隔ls,持续时间8ms,脑磁图检查后进行MRI超薄扫描。结果:SEFs的最主要波峰为M20,其ECD均位于体感皮层中枢,AEFs为M100,位于两侧颞横回。两侧ECD位置三维不对称性由(△X2+△Y2+△Z2)1-2表示,SEFs和AEFs测定患者组均较正常对照组不对称性增大。结论:MEG可灵敏地检测出急性脑梗死患者皮层中枢功能损伤。

空间频率对视觉诱发磁场影响的脑磁图研究

目的 用脑磁图来研究人脑视皮质对不同空间频率黑白棋盘格翻转刺激所产生视觉诱发磁场成分之一的M10 0的影响 ,包括峰值潜伏期、振幅和源位置三方面。方法 测定 9例健康志愿者对视角分别为 2 5’、40’、5 0’、60’、80’、12 0’和2 40’的半视野棋盘格刺激的磁场反应。结果 格大小对M10 0峰值潜伏期和振幅的影响有显著统计学意义 (P <0 .0 5 )。随着格变小 ,M10 0峰值潜伏期延长、振幅减小。偶极源位于刺激野对侧的枕叶距状裂附近。结论 不同空间频率的棋盘格刺激对M10 0峰值潜伏期、振幅的影响均有显著意义 ,但对源位置无显著影响。

翻转棋盘格视觉诱发磁场中的3种成分

目的:了解半视野图形刺激的视觉诱发磁场(visualevokedfield,VEF)反应中组成部分的时间和空间分布特点,并通过与MRI图像相叠加,了解各组成部分所对应偶极源的确切位置。方法:分别测试40名受试者对垂直左半侧视野的视觉诱发磁场反应,分析各组成部分的潜伏期及波幅,并通过磁源成像精确定位半视野图形刺激所引起视觉诱发磁场的位置。结果:左半视野刺激可在右侧半球引起较为明显的3期相复合波形,3种组成部分分别为M75,M100和M145,其中M100和M145的出现率均为100%,M75的出现率为72.5%。M75,M100和M1453种成分所对应的偶极均为单偶极模式。在磁场等高图上,3种成分偶极均位于右侧半球枕区。与MR图像叠加后,M75,M100和M1453种成分所对应的偶极亦均位于右侧枕叶,M100偶极指向由外向内,M75和M145偶极指向由内向外。其中M100偶极位于舌上回、楔下回、楔舌后回和舌下回等区域。M75偶极出现在包括舌上回、楔下回、舌下回、楔舌后回、楔上回和缘上回在内的区域。M145偶极可出现在舌上回、楔下回、楔上回、楔中回、舌下回。结论:左半视野刺激会在刺激野的对侧半球枕区引起单偶极模式的兴奋。图形刺激视觉诱发磁场反应中的M100兴奋主要由纹状皮质(Brodmann17区)的神经元产生,位于刺激野对侧半球枕区的距状裂底部后方。

脑中央区占位性病变患者体感诱发磁场的变化

目的探讨脑中央区占位病变患者体感诱发磁场的变化。方法应用脑磁图仪对9例脑中央区占位病变患者及60名正常对照者行腕部正中神经刺激,记录体感诱发磁场M20的潜伏期及磁源性影像三维定位;分析M20潜伏期及磁源性影像与脑中央占位病变性质的关系。结果 9例脑中央区占位病变患者中,2例M20潜伏期及三维定位正常,其手术后病理结果为脑膜瘤;7例潜伏期及三维定位异常患者的手术后病理结果 6例为星形细胞瘤,1例为淋巴细胞瘤。结论脑中央区占位病变患者体感诱发磁场变化对判断肿瘤性质有一定的意义。

急性脑梗死脑磁图体感诱发磁场发生源ECD强度研究

目的:研究急性脑梗死患者脑磁图(magnetoencephalography,MEG)体感诱发磁场发生源等价电流偶极子(equivalentcurrentdipole,ECD)强度变化特征。方法:对15例急性脑梗死患者于发病后3～4周进行体感诱发磁场(SEFS)检测;同时检测16例健康志愿者作为对照。电刺激部位为腕部正中神经处,电流脉冲宽度0.3ms,刺激间隔0.5s。SEFS波峰由ECD评估。结果:所有受检者SEFs的最基本波形为M20,急性脑梗死患者患侧ECD强度减小(P<0.01)。结论:MEG可灵敏地检测出急性脑梗死患者体感皮层中枢功能损伤。

脑磁图听觉诱发磁场等价电流偶极子强度在急性脑梗死的意义

目的:研究急性脑梗死时脑磁图听觉诱发磁场(AEFs)的等价电流偶极子(ECD)强度变化的意义。方法:应用脑磁图机对15例急性脑梗死患者进行AEFs检测,AEFs波峰由ECD评估。结果:AEFs的最主要波峰为M100,其ECD位于两侧颞横回,患侧ECD强度减小(P<0.01)。结论:急性脑梗死可使患侧AEFs的ECD强度下降,为评估听觉皮层功能受损提供客观、灵敏的指标。

对比度与照度对正常成人图形翻转视觉诱发磁场的影响

目的：用MEG来描述人脑视皮质对不同对比度和照度条件下黑白棋盘格翻转刺激所产生的视觉诱发磁场，并研究对比度和照度对VEF成分之一的M100的影响。方法：测定11例健康志愿者对对比度分别为31％、62％、82％、90％和94％的5种对比度和白格照度分别为143．5、166．5和196．5Lux的3种照度条件下的左半视野棋盘格刺激的诱发磁场反应。结果：采用单因素方差分析进行数据分析。开始时，随着对比度增大，M100偶极强度迅速增大(P＜0．05)，M100峰值潜伏期迅速缩短(P＞0．05)，对比度增至82％时，M100偶极强度上升明显减慢，峰值潜伏期缩短减少；3种照度所引起的M100峰值潜伏期随照度增加而逐渐缩短(P＜0．05)，所引起的M100偶极强度随照度增加而逐渐增高(P＞0．05)。对不同对比度棋盘格刺激的M100反应均位于刺激野对侧半球枕区的距状沟后肢底部上唇或下唇，即楔下回、楔舌后回和舌上回；对不同照度的棋盘格刺激的M100反应起源均位于刺激野对侧半球枕区的距状沟后肢底部的下唇，即舌上回和楔舌后回，虽然个体间M100偶极位置有一定程度的差异，但在统计学上无明显差异(P＞0．05)。结论：棋盘格刺激是一种对比度刺激，对比度变化是影响视皮质对棋盘格刺激反应的敏感因素。尽管不同对比度和照度条件下的棋盘格刺激对源位置无显著影响，但在日常工作当中，应选择不低于82％的对比度和尽量高的照度方能获得较好的皮质反应波。

男性精神分裂症患者视觉诱发磁场的初步研究

目的:以脑磁图(MEG)研究精神分裂症患者视觉诱发磁场(VEFs)的特点。方法:20例男性精神分裂症患者(患者组)和13名正常人(对照组),给予右眼左半垂直视野黑白翻转格图形视觉刺激,记录受试者VEFs的M100波形、潜伏期、振幅及激活脑区的等电流偶极(ECD)的磁源性影像(MSI)的XYZ值。结果:所有受试者VEFs的最基本波形为M100,位于距状裂两侧的皮质。与对照组比较,患者组VEFs的M100波形存在异常,潜伏期明显延长,振幅显著降低(P均<0.05);且ECD的XYZ值显示其M100反应的ECD位置在X轴上分布偏移。结论:MEG可检测出精神分裂症患者VEFs存在异常,其视觉皮质中枢功能亦存在异常。

听觉诱发磁场在临床医学中的应用

脑磁图(magnetoencephalography,MEG)是一种无创伤性测定脑电磁活动的技术,主要测定脑皮层神经元细胞内电流产生的微弱磁场[1,2].1968年Cohen在麻省理工学院磁屏蔽室内使用诱导线圈和信号叠加技术首次测量了脑的α节律产生的磁场.

颅内占位病变患者的体感诱发磁场M80的研究

背景与目的:脑磁图作为术前评估的一项重要内容,便于外科医生在手术前了解皮层功能状态及重要功能区的位置,从而制定合理的手术治疗计划,也可为神经内科医生提供皮层功能损伤的客观指标。本研究通过脑磁图(MEG)研究颅内占位患者的体感诱发磁场(SEF)的皮质反应波M80的潜伏期、波幅及位置,观察其变化规律。方法:选用2003年3月至2006年12月在广东三九脑科医院肿瘤神经外科住院治疗的颅内占位患者33例,其中男性15例,女性18例;年龄15～64岁。病变主要位于左侧者20例,右侧者13例。采用148信道MEG系统传感器在屏蔽室内采集患者脑磁信号。结果:全部33例健侧食指刺激者,均在对侧皮层引出了M80反应波,并得到其在相应皮层的位置;而患侧食指刺激有32例在对侧皮层引出了M80反应波,1例未引出。健侧小指刺激的30例,全部在对侧皮层引出了相应的体感M80反应波,并得到其在相应皮层的位置;而患侧小指刺激有28例记录到M80反应波,并得到其在相应皮层的位置,3例未引出。食指、小指分别刺激,两侧M80峰(患侧与健侧比较)潜伏期,统计学上无显著性差异(P﹥0.05)。但与健侧比较,患侧M80波幅(食指、小指分别刺激)明显降低,统计学上存在显著差异(P﹤0.05,P﹤0.005)。33例行MEG检查的颅内占位病变患者中,有24例神经系统查体中未发现肢体有感觉障碍。其M80峰潜伏期,患侧与健侧(食指、小指分别刺激)之间无明显差别(P﹥0.05);但患侧波幅明显降低,统计学上存在显著差异(P﹤0.05,P﹤0.005)。结论:气夹指端刺激对侧皮层体感诱发反应M80峰波波幅可作为皮层功能损伤的一个客观、早期的指标。SEF与MRI融和生成的磁源成像,不但可以准确地确定功能区和中央沟的位置,还能帮助我们更好地了解中央沟的位置和病变部位的关系。

聚酰亚胺表面纳米复合层构筑及其抑制强电磁场诱发真空沿面放电机理

航天器运行在恶劣的空间环境中容易引发充放电现象,而叠加电磁场会导致其在较低的充电电位下发生放电,严重威胁航天器的安全运行。为揭示强电磁场诱发真空沿面放电的机理并提出抑制方法,该文采用离子交换方法对聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜表面进行改性处理,并基于搭建的强电磁场诱发真空沿面放电平台,结合表面陷阱、二次电子发射系数(secondary electron emission yields,SEEY)等表征手段,系统分析表面改性对抑制强电磁场诱发PI薄膜沿面放电的机理。结果表明:改性后的PI表面引入大量浅陷阱,显著降低PI薄膜的表面电阻率和SEEY,并提升了材料表面电荷的积聚与消散速率。同时,浅陷阱的引入降低了PI薄膜的SEEY和直流场下的极化能,抑制气体的解吸附与电离及二次电子倍增过程,从而显著提升了PI薄膜在抑制强电磁场诱发真空沿面放电方面的能力。该研究有望为强电磁场诱发航天器表面沿面放电的防护设计提供参考。

持续性植物状态患者脑磁图体感诱发磁反应研究

目的:应用脑磁图(MEG)评价持续性植物状态(PVS)患者手区体感诱发磁场(SEF)反应特点及与预后的关系。方法:对8例PVS患者进行MEG手区SEF反应检查并与8例健康受试者手区SEF反应比较。结果:8例PVS患者中,3例双侧半球无SEF反应。4例一侧半球无SEF反应,另一侧半球SEF有反应,其中1例潜伏期及波幅接近正常并经治疗6个月后意识恢复外;3例潜伏期明显延长,治疗6个月后症状无明显改善;1例两侧半球均有反应,但潜伏期明显延长。结论:PVS患者一侧半球或双侧半球SEF反应消失,此特征对判断PVS患者预后有一定作用。

基于匹配追踪的脑磁图体感诱发信号提取方法

目的:利用匹配追踪(MP)算法的良好参数化描述特性,研究癫痫脑磁图的时频分布特征。方法:提出应用MP算法提取体感诱发磁场(SEF)信号的详细的时频成分。结果:对多例正常受试者的体感诱发脑磁图信号进行时频分析,从中提出大部分信号中都存在的时频成分,表明系列稳定的SEF时频成分可使用MP分解算法识别。结论:体感诱发信号通过MP分解,能够产生稳定和微小的时频成分,并且这些成分在时频中具有特定的位置,从而为临床脑功能和脑部疾患发病机制的研究提供可靠的研究指标。

猪脑样本皮层下深部结构神经活动的脑外磁场测量

猪脑样本皮层下深部结构神经活动的脑外磁场测量ＩＨａｓｈｉｍｏｔｏ，ｅｔａｌ．Ｎｅｕｒｏ┐ｓｃｉｅｎｃｅｌｅｔｅｒｓ１９９６２０６：（１）８４１～８４６为了检测皮层下结构是否能产生一个在脑外可测得的磁场活动，我们先在去皮层的猪测量了躯体诱发磁场。然后在...

猪脑样本皮层下深部结构神经活动的脑外磁场测量

猪脑样本皮层下深部结构神经活动的脑外磁场测量ＩＨａｓｈｌｉｎｏｔｏ，ｅｔａｌ．Ｎｅｕｒｏｓｃｉｅｎｃｅｌｅｔｔｅｒｓ１９９６２０６：（１）８４１～８４６为了检测皮层下结构是否能产生一个在脑外可测得的磁场活动，我们先在去皮层的猪测量了躯体诱发磁场。然后...

不同温度及外加磁场方向外延生长Ni-Mn-Ga薄膜的磁性能研究

外延生长Ni–Mn-Ga哈斯勒合金薄膜具有多种优异的磁控功能行为,是智能传感驱动、新型固态制冷等领域中极具前景的候选材料.利用磁控溅射在MgO(001)单晶基板上制备出外延生长Ni-Mn-Ga薄膜,X射线衍射和微观组织表征结果显示其在室温下为七层调制结构马氏体.通过测量MgO(001)基板上外延生长Ni-Mn-Ga薄膜在不同温度和不同磁场方向的磁滞回线发现,当温度低于330K时,在其磁滞回线上能够观察到明显的"磁矩跳跃"现象(磁化强度的突变),并且随温度降低该现象越明显;当温度高于335 K时,薄膜的磁滞回线为常规磁性材料的磁滞回线,说明"磁矩跳跃"现象只存在于马氏体状态.通过研究不同施加磁场方向的磁滞回线发现,薄膜磁滞回线上的"磁矩跳跃"现象对外加磁场方向也非常敏感,只有当外加磁场靠近MgO单晶基板的[100]或[010]方向时,薄膜的磁滞回线才会存在明显的"磁矩跳跃"现象.

急性脑梗死患者脑磁图SEFs和AEFs时间参数变化特征

目的研究急性脑梗死患者脑磁图(magnetoencephalography,MEG)体感诱发磁场(somatosensoryevokedmagneticfields,SEFs)和听觉诱发磁场(auditoryevokedmagneticfields,AEFs)时间参数变化。方法使用306通道MEG机对15例急性脑梗死患者进行SEFs和AEFs检测;同时检测健康志愿者25例作为对照。结果SEFs的最基本波形为M20,患者组M20潜伏期患侧为(23.3±1.5)ms,健侧为(21.9±1.3)ms,正常对照组为(20.6±1.1)ms,患者组明显延迟(P<0.01)。AEFsM100患者组潜伏期为(97.0±6.0)ms,正常对照组为(89.3±27.9)ms;患者组明显延迟(P<0.05)。结论MEG可灵敏、客观地检测出急性脑梗死患者体感和听觉皮层中枢功能损伤。

应用脑磁图对人脑初级体感皮质功能定位的研究

目的 通过脑磁图确定脑初级体感皮质的位置。方法 对 16名右利手健康受试者腕部正中神经进行电刺激 ,引起支配手的脑初级感觉皮质兴奋 ,脑初级感觉皮质的兴奋产生微弱的颅外磁场 ,用脑磁图机对这个微弱的颅外磁场进行测量。脑磁图检查后 ,受试者进行MRI检查 ,扫描序列为SE序列 ,矢状T1WI。结果 所有受试者均出现M 2 0波峰及M 3 5波峰 ,只有 2例出现明显的M 60波峰。将同一受试者M 2 0波峰及M 3 5波峰的等电流偶极与MRI叠加 ,即可明确显示手区初级体感皮质在左、右侧半球的位置。同一受试者M 2 0偶极位置与相应半球的M 3 5偶极位置相近。结论 将脑磁图获得的脑电生理学资料与MRI获得的解剖学资料叠加到一起所得到的磁源性影像可准确地确定脑的手区初级体感皮质的位置。