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脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算
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作者 黄生荣 陈朝 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期643-645,共3页
脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中,金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素.确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度.本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的... 脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中,金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素.确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度.本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程,利用数值计算的方法,计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布,得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系,两者都近似呈线性关系,表面温度和分界面温度相差不大,这与解析方法得到的结果基本相同.研究表明,通过数值方法给出材料中温度场分布情况,可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度. 展开更多
关键词 激光诱导掺杂 温度分布 Zn/InP
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XeCl激光与铜蒸气激光诱导硅中掺硼的比较
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作者 钱育军 潘佰良 《光学仪器》 1995年第4期12-15,共4页
讨论了XeCl激光和铜蒸气激光(CVL)诱导硅中掺硼的实验比较结果。CVL诱导掺硼是首次由本课题完成的。激光掺杂之P-N结结深可小于0.2μm,表面硼浓度大于1021cm-3。CVL激光掺杂制成的太阳能电池最高光电效率比XeCl激光高8%,表明CVL... 讨论了XeCl激光和铜蒸气激光(CVL)诱导硅中掺硼的实验比较结果。CVL诱导掺硼是首次由本课题完成的。激光掺杂之P-N结结深可小于0.2μm,表面硼浓度大于1021cm-3。CVL激光掺杂制成的太阳能电池最高光电效率比XeCl激光高8%,表明CVL激光在激光诱导掺杂中具有明显优势。 展开更多
关键词 铜蒸气激光 诱导掺杂 氯化氙激光
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激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析 被引量:2
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作者 薛正群 黄生荣 +1 位作者 张保平 陈朝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期1268-1274,共7页
采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得... 采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33V降到3.13V,串联电阻从30.27Ω降到20.27Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600h后的反向漏电流从超过0.2μA降为不超过0.025μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致. 展开更多
关键词 激光诱导掺杂 GAN 老化 发光二极管
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脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算 被引量:4
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作者 田洪涛 陈朝 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期755-758,共4页
在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 。
关键词 激光物理 温度分布 脉冲激光 诱导掺杂 Zn/InP
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极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂 被引量:1
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作者 李世彬 肖战菲 +4 位作者 苏元捷 姜晶 居永峰 吴志明 蒋亚东 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期171-176,共6页
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐... 材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^(17)cm^(-3)数量级甚至更低.本研究采用载流子浓度为10^(16)cm^(-3)量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底,用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^(20)cm^(-3)量级的超高电子浓度.准绝缘的体材GaN半导体作衬底时,只有表面自由电子作为极化掺杂源,而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场提供更多的自由电子"源",从而实现超高载流子浓度的n型掺杂. 展开更多
关键词 超高电子浓度 极化诱导掺杂 线性渐变 AlGaN膜
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Structural insights of mechanically induced aluminum-doped hydroxyapatite nanoparticles by Rietveld refinement
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作者 Abbas Fahami Bahman Nasiri-Tabrizi +1 位作者 Gary W. Beall Wan Jefrey Basirun 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期238-247,共10页
Aluminum doped hydroxyapatite (HA:AI3 +) nanopowders were successfully prepared via a simple and efficient one-pot mechanochemical route. The effects of dopant loading on phase compositions and structural features... Aluminum doped hydroxyapatite (HA:AI3 +) nanopowders were successfully prepared via a simple and efficient one-pot mechanochemical route. The effects of dopant loading on phase compositions and structural features were assessed by Rietveld analysis. The XRD-Rietveld refinement revealed the stabilization of HA in hexagonal structure for all the samples. The sharpness and intensity of the apatite-derived XRD peaks decreased as the dopant content increased to 10% due to the increase in lattice imperfections and mechanically induced amorphization. The incorpo- ration of A13 + into the HA lattice decreased the unit cell parameters. From the FfiR measurements, the representing bands of apatite were identified in all cases. The mechanosynthesized nanopowders consisted of nanospheroids with an average size of 44 - 20 nm and therefore are promising for bone tissue regeneration. 展开更多
关键词 SynthesisIon exchangeMechanochemicalRietveld refinement
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Discovery of a novel 112-type iron-pnictide and La-doping induced superconductivity in Eu_(1-x)La_xFeAs_2(x=0–0.15) 被引量:3
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作者 Jia Yu Tong Liu +6 位作者 Bo-Jin Pan Bin-Bin Ruan Xiao-Chuan Wang Qing-Ge Mu Kang Zhao Gen-Fu Chen Zhi-An Ren 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期218-221,共4页
We report the discovery and characterization of a novel 112-type iron pnictide EuFeAs2, with La-doping induced superconductivity in a series of Eu1- xLaxFeAs2. The polycrystalline samples were synthesized through soli... We report the discovery and characterization of a novel 112-type iron pnictide EuFeAs2, with La-doping induced superconductivity in a series of Eu1- xLaxFeAs2. The polycrystalline samples were synthesized through solid state reaction method only within a very narrow temperature window around 1073 K. Small single crystals were also grown from a flux method with the size about 100μm. The crystal structure was identified by single crystal X-ray diffraction analysis as a monoclinic structure with space group of P2 1/m. From resistivity and magnetic susceptibility measurements, we found that the parent compound EuFeAs2 shows distinct anomalies probably due to the Fe2+ related antiferromagnetic/structural phase transition near 110K and the Eu2+ related antiferromagnetic phase transition near 40K. La-doping suppressed both phase transitions to lower temperatures and induced superconducting transitions with a Tc - 11 K for Eu0.85La0.15FeAs2. 展开更多
关键词 EuFeAs2 Superconductivity La-doping Antiferromagnetic transition
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