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准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析
被引量:
1
1
作者
戴永兵
沈荷生
+3 位作者
张志明
张少强
徐重阳
李兴教
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期947-950,共4页
采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶...
采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50~ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 .
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关键词
准分子激光
非
晶
硅膜
RAMAN光谱
诱导晶化处理
结
晶
膜
结
晶
度
下载PDF
职称材料
题名
准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析
被引量:
1
1
作者
戴永兵
沈荷生
张志明
张少强
徐重阳
李兴教
机构
上海交通大学微电子技术研究所
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期947-950,共4页
文摘
采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50~ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 .
关键词
准分子激光
非
晶
硅膜
RAMAN光谱
诱导晶化处理
结
晶
膜
结
晶
度
Keywords
Amorphous films
Amorphous silicon
Characterization
Crystallization
Laser beam effects
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析
戴永兵
沈荷生
张志明
张少强
徐重阳
李兴教
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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职称材料
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