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Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
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作者 于振瑞 杜金会 +2 位作者 张加友 李长安 Aceves M 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1180-1184,共5页
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电... 利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成 。 展开更多
关键词 富硅氧化硅 电荷俘获效应 C-V测试 诱导pn结
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