氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善

高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级。

He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究

高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.

多晶硅薄膜ELC制备方法中控制纵向热流的探索

准分子激光晶化(ELC)制备多晶硅薄膜是当前制造低温多晶硅TFT的主流技术。本文在非晶氮化硅栅绝缘层中特定区域引入气泡区或者微孔区,大幅度减小该区域的热导率,从而在后面的准分子激光退火过程中建立起适合于晶粒超级横向生长的温度梯度,并初步分析了该方案的可行性。