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通过“设陷,诱错”培养学生的思维品质
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作者 郭耀忠 苗芳 《劳动保障世界》 2017年第6X期22-,共1页
在高三复习中,习题课是物理课堂教学中的常用课型,占了很大的比重。高中物理知识的高度抽象化和高中生思维能力的不稳定性需要我们提高学生的思维品质。当代科学家、哲学家波普尔曾说:"错误中往往孕育着比正确更丰富的发现和创造因... 在高三复习中,习题课是物理课堂教学中的常用课型,占了很大的比重。高中物理知识的高度抽象化和高中生思维能力的不稳定性需要我们提高学生的思维品质。当代科学家、哲学家波普尔曾说:"错误中往往孕育着比正确更丰富的发现和创造因素,发现的方法就是试错的方法。"教师应善于恰当设置一些陷阱,甚至诱导学生犯错,并通过正误辩析,让他们从错误中猛醒过来,吸取教训,从而培养学生的优良的思维品质。 展开更多
关键词 设陷 诱错 思维品质 习题课
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直拉硅中氧化诱生层错研究进展 被引量:2
2
作者 储佳 杨德仁 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第11期35-37,共3页
硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量,要求对 OSF 有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF 的形成动力学、影响因素和检测方法,井指出:OSF 是一种由点缺陷... 硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量,要求对 OSF 有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF 的形成动力学、影响因素和检测方法,井指出:OSF 是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。 展开更多
关键词 氧化生层 直拉硅单晶 氧沉淀 半导体材料 缺陷 研究进展 动力学
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心理健康教育视角下对高职院校学生网络传媒诱错现象的预防
3
作者 张保顺 《才智》 2015年第11期108-,共1页
本文通过分析当前高职高职院校学生网络传媒诱错现象的规律特点,找到高职院校学生因为网络传媒诱错走上歧途的原因。并通过分析心理健康教育功能与网络传媒诱错预防规律的契合点,来论证心理健康教育可以有效预防高职高职院校学生网络传... 本文通过分析当前高职高职院校学生网络传媒诱错现象的规律特点,找到高职院校学生因为网络传媒诱错走上歧途的原因。并通过分析心理健康教育功能与网络传媒诱错预防规律的契合点,来论证心理健康教育可以有效预防高职高职院校学生网络传媒诱错现象。要想预防网络传媒诱错现象的发生和不良的信息影响,关键就在于高职高职院校学生的自我完善。而心理健康教育正是通过对高职院校学生进行认知发展教育,情绪稳定教育,意志力优化教育,个性健全教育,人际和谐教育以及积极适应教育,使他们形成符合社会要求的品质和行为方式,塑造完整健康的人格,进而有效地预防网络中不良的信息影响。 展开更多
关键词 网络传媒诱错 心理健康教育 预防
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300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响 被引量:5
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作者 韩海建 周旗钢 戴小林 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期223-226,共4页
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内... 采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加。这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大。 展开更多
关键词 掺氮 300 MM 氧化生层(OSF) 直拉单晶硅
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无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错 被引量:1
5
作者 刘云霞 周旗钢 +3 位作者 孙燕 石宇 曹孜 李惠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期787-790,共4页
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C... Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。 展开更多
关键词 氧化生层 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片
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掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
6
作者 韩海建 周旗钢 +1 位作者 戴小林 肖清华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-749,共4页
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo... 采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。 展开更多
关键词 300mm 流动图形缺陷 氧化生层 掺氮
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集成电路芯片的工艺诱生缺陷 被引量:1
7
作者 邹子英 闵靖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期46-48,共3页
 调研了三条100~150mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注入诱生弗兰克不全位错,薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错。前二种缺陷存在于MOS...  调研了三条100~150mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注入诱生弗兰克不全位错,薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错。前二种缺陷存在于MOS电路,后一种存在于双极型电路。弗兰克不全位错起因于离子注入损伤诱生的氧化诱生层错(OISF),薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错都与薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。同时,提出了减少这几类缺陷密度的工艺途径。 展开更多
关键词 集成电路 芯片 工艺生缺陷 乳化生层 弗兰克不全位 晶格缺陷
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浅谈高中数学解题纠错教学
8
作者 胡中行 《基础教育论坛》 2011年第11期23-24,共2页
数学教学中的错题一直困扰着广大师生,本文从错题纠错的意义、方式、反思等几个方面进行了探讨,通过数学解题的纠错,从而有助于数学教与学.
关键词 诱错 反思
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纠错教学“五部曲”
9
作者 周小丽 余马东 《小学教学参考(数学版)》 2015年第5期38-39,共2页
错误是正确的先导,是通向成功的阶梯。数学教学中,教师应该充分利用学生的错误资源,巧妙地实施诱错、示错、融错、析错、纠错。这样不仅可以让学生更深刻地理解和掌握知识,提高分析与解决问题的能力,还能培养学生思维的批判性。
关键词 教学 诱错
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巧用错误资源 建构高效课堂
10
作者 施建国 《小学教学参考(综合版)》 2018年第2期25-25,共1页
课堂教学是一个灵动的、动态发展变化的过程,所以学生不可避免地出现这样或那样的错误.加强对教学过程中错 误资源的有效运用,是灵活运用教学方法、优化课堂教学的重要途径.因此,教师应因势利导,巧妙运用学生出现的错误,让其助 力课堂教... 课堂教学是一个灵动的、动态发展变化的过程,所以学生不可避免地出现这样或那样的错误.加强对教学过程中错 误资源的有效运用,是灵活运用教学方法、优化课堂教学的重要途径.因此,教师应因势利导,巧妙运用学生出现的错误,让其助 力课堂教学,提高数学教学的有效性. 展开更多
关键词 误资源 高效课堂 诱错
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浅谈数学教学中有效利用“错误”资源的策略
11
作者 朱云 《活力》 2010年第10期80-80,共1页
实际的教学中很多教师一味地追求课堂的精彩.尤其是在公开课上,希望在师生互动生成的过程中。其间情感的交流、思维的碰撞、创造的进发……都如自己所设想的那么“完美”,没有一点“瑕疵”。但是。却忽略了另一种“美丽的精彩”——... 实际的教学中很多教师一味地追求课堂的精彩.尤其是在公开课上,希望在师生互动生成的过程中。其间情感的交流、思维的碰撞、创造的进发……都如自己所设想的那么“完美”,没有一点“瑕疵”。但是。却忽略了另一种“美丽的精彩”——“错误”。这种认识不仅仅是对精彩课堂的一种误解.长此以往学生在课堂上将丧失主体性。没有思考,不仅课堂将不再精彩.学生也不能在数学上得到很好的发展。在长期的数学教学实践中,笔者对充分利用好“错误”这一教学资源,进行了有益的探索与实践。现就如何捕捉“错误”生成,引领数学跟进策略,谈以下几点体会。 展开更多
关键词 诱错
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重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
12
作者 曹孜 石宇 +3 位作者 李惠 孙燕 边永智 翟富义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1178-1182,共5页
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速... 采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度。实验还发现,对于〈100〉重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液,而对于〈111〉重掺样品,未见明显差异。最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因。 展开更多
关键词 重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化生层 检测
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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究 被引量:3
13
作者 徐进 杨德仁 +2 位作者 储佳 马向阳 阙端麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期550-554,共5页
利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时... 利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时间的延长 。 展开更多
关键词 直拉单晶硅 透射电镜 氧化生层 晶体缺陷 热氧化时间 尺寸
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外吸除用硅片背面加工技术的研究 被引量:2
14
作者 闵靖 邹子英 +3 位作者 李积和 周子美 陈青松 陈一 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期340-344,共5页
用SEM、TEM和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤 (包括软损伤 )和多晶硅的晶格结构 ,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化 ,探索了吸杂的机理。实验结果表明 ,用本技术能减少S坑密度 ,提高硅片产生寿命 ,对金。
关键词 机械损伤 软损伤 氧化生层 S坑缺陷 外吸除 内吸除 硅片
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Microstructural evolution during hot and cold deformation of Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O alloy
15
作者 张卫东 刘咏 +3 位作者 吴宏 刘彬 陈紫瑾 汤慧萍 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期1310-1316,共7页
The Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.350 (mass fraction, %) (TNTZO) alloy was produced by cold isostatic pressing and sintering from elemental powders, followed by hot and cold deformation. The effects of deformation process on ... The Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.350 (mass fraction, %) (TNTZO) alloy was produced by cold isostatic pressing and sintering from elemental powders, followed by hot and cold deformation. The effects of deformation process on microstructures and mechanical properties were investigated using the SEM, TEM, OM and the universal material testing machine. Results show that the alloy can be easily hot forged and cold swaged due to the fine-grained microstructure. Only after cold swaging by 85%, the alloy shows the typical "marble-like" structure. And thecold deformation is accompanied by stress-induced a" phase transformations. Moreover, both the strength and the ductility of the alloy are significantly improved by hot and cold working. 展开更多
关键词 gum metal hot forge cold swage microstructure dislocation-free stress-induced martensitic transformation
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地理选择题设疑置惑技巧
16
作者 曾庆斌 《地理教学》 2003年第10期21-23,共3页
选择题是目前各类考试普遍采用的一种题型,具有客观、公平、方便阅卷(机读)的特点,也有利于扩大试卷容量,增加考点的覆盖面。为减少考试得分偶然性,提高考试的信度和区分度,命题时必须考虑并提高选择题的迷惑性。
关键词 地理考试 选择题 置惑诱错 命题
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SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响
17
作者 张伟才 王雄龙 +2 位作者 杨洪星 杨静 李明佳 《电子工艺技术》 2018年第4期191-194,共4页
以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法... 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm)。经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4~5)×10~4个/cm^2。背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现。 展开更多
关键词 硅晶片 干法喷砂 背面软损伤 粒径 氧化生堆垛层
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掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响
18
作者 张越 赵剑 +4 位作者 董鹏 田达晰 梁兴勃 马向阳 杨德仁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期450-455,共6页
对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性... 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明:与磷原子相比,锑原子是更有效的空位俘获中心,从而抑制空位与自间隙硅原子的复合.因此,在经历相同的热氧化时,氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多,从而导致OSF更长. 展开更多
关键词 掺杂剂 点缺陷 氧化生层 直拉硅
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BNIP3 is essential for mediating 6-thioguanine- and 5-fluorouracil-induced autophagy following DNA mismatch repair processing 被引量:4
19
作者 Xuehuo Zeng 《Cell Research》 SCIE CAS CSCD 2010年第6期665-675,共11页
DNA mismatch repair (MMR) processes the chemically induced mispairs following treatment with clinically important nucleoside analogs such as 6-thioguanine (6-TG) and 5-fluorouracil (5-FU). MMR processing of thes... DNA mismatch repair (MMR) processes the chemically induced mispairs following treatment with clinically important nucleoside analogs such as 6-thioguanine (6-TG) and 5-fluorouracil (5-FU). MMR processing of these drugs has been implicated in activation of a prolonged G2/M cell cycle arrest for repair and later induction of apoptosis and/or autophagy for irreparable DNA damage. In this study, we investigated the role of Bcl2 and adenovirus EIB Nineteen-kilodalton Interacting Protein (BNIP3) in the activation of autophagy, and the temporal relationship between a G2/M cell cycle arrest and the activation of BNIP3-mediated autophagy following MMR processing of 6-TG and 5-FU. We found that BNIP3 protein levels are upregulated in a MLHI (MMR+)-dependent manner following 6-TG and 5-FU treatment. Subsequent small-interfering RNA (siRNA)-mediated BNIP3 knockdown abrogates 6-TG- induced autophagy. We also found that p53 knockdown or inhibition of mTOR activity by rapamycin cotreatment impairs 6-TG- and 5-FU-induced upregulation of BNIP3 protein levels and autophagy. Furthermore, suppression of Checkpoint kinase 1 (Chkl) expression with a subsequent reduction in 6-TG-induced G2/M cell cycle arrest by Chkl siRNA promotes the extent of 6-TG-induced autophagy. These findings suggest that BNIP3 mediates 6-TG- and 5-FU-induced autophagy in a p53- and mTOR-dependent manner. Additionally, the duration of Chkl-activated G2/ M cell cycle arrest determines the level of autophagy following MMR processing of these nucleoside analogs. 展开更多
关键词 BNIP3 p53 MTOR AUTOPHAGY nucleoside analogs
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慢降温工艺的最佳降温率
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作者 顾世洧 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 1979年第1期53-56,共4页
半导体器件的性能受晶体中缺陷的影响极大。慢降温工艺是一种简单而有效的消除晶体缺陷的方法。本文根据空位和点缺陷的复合,导出了最佳降温率。文中定性地分析了决定最佳降温率的几个因素,指出:最佳降温率与点缺陷的密度成正比;最佳降... 半导体器件的性能受晶体中缺陷的影响极大。慢降温工艺是一种简单而有效的消除晶体缺陷的方法。本文根据空位和点缺陷的复合,导出了最佳降温率。文中定性地分析了决定最佳降温率的几个因素,指出:最佳降温率与点缺陷的密度成正比;最佳降温率应随温度之下降而放慢。 展开更多
关键词 杂质原子 晶体 填隙 点缺陷 氧化生层
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