亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术

CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点。对这些技术的优缺点作了分析比较。