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微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化
被引量:
1
1
作者
韩荣江
王继扬
+4 位作者
徐现刚
胡小波
李娟
李现祥
蒋民华
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1377-1380,共4页
采用升华法生长调制掺氮的6HSiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延...
采用升华法生长调制掺氮的6HSiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6HSiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处。氮元素掺杂可使6HSiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管。
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关键词
碳化硅单晶
升华法
调制掺氮
微管
生长前沿
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职称材料
题名
微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化
被引量:
1
1
作者
韩荣江
王继扬
徐现刚
胡小波
李娟
李现祥
蒋民华
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1377-1380,共4页
基金
国防预研和国家自然科学基金 (50 0 82 0 0 7)资助项目
文摘
采用升华法生长调制掺氮的6HSiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6HSiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处。氮元素掺杂可使6HSiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管。
关键词
碳化硅单晶
升华法
调制掺氮
微管
生长前沿
Keywords
Crystal lattices
Crystalline materials
Doping (additives)
Silicon carbide
Sublimation
分类号
O771 [理学—晶体学]
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化
韩荣江
王继扬
徐现刚
胡小波
李娟
李现祥
蒋民华
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
已选择
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参考文献
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