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漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型
被引量:
2
1
作者
徐文杰
孙玲玲
张海鹏
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2007年第2期1-4,共4页
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响。计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部...
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响。计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部分,然后分别进行求解。然后综合得到SOI LIGBT通态电阻的近似模型,并讨论了影响SOI LIGBT通态电阻特性的主要因素,最后根据讨论结果提出改善措施。
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关键词
绝缘层上硅
横向绝缘栅双极晶体管
通态
电阻
耗尽层
调制电阻
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职称材料
题名
漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型
被引量:
2
1
作者
徐文杰
孙玲玲
张海鹏
机构
杭州电子科技大学CAD研究所
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2007年第2期1-4,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60036030)
浙江省自然科学基金资助项目(y104599)
文摘
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响。计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部分,然后分别进行求解。然后综合得到SOI LIGBT通态电阻的近似模型,并讨论了影响SOI LIGBT通态电阻特性的主要因素,最后根据讨论结果提出改善措施。
关键词
绝缘层上硅
横向绝缘栅双极晶体管
通态
电阻
耗尽层
调制电阻
Keywords
SOI
LIGBT
on-state resistance
depletion region
modulated resistance
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型
徐文杰
孙玲玲
张海鹏
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2007
2
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