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调制衬比显微术
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作者 陈焌堂 《光学仪器》 1992年第3期8-14,共7页
介绍一种能形成三维像的新颖且简单的显微术,即通过调制光学梯度像的光强方法,使像的一边呈现亮于背景,而其相对边是暗于背景,以致获得光学阴影效果,从而产生立体效应。同时强调在显微镜衍射成像原理上光学梯度的作用,指出梯度衍射图零... 介绍一种能形成三维像的新颖且简单的显微术,即通过调制光学梯度像的光强方法,使像的一边呈现亮于背景,而其相对边是暗于背景,以致获得光学阴影效果,从而产生立体效应。同时强调在显微镜衍射成像原理上光学梯度的作用,指出梯度衍射图零级的重要性。 展开更多
关键词 调制衬比 调制 光学梯度
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MOS管沟道长度及衬底调制效应对其特性曲线影响的计算机模拟
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作者 周瑞雪 《物理实验》 北大核心 2001年第9期19-21,共3页
借助 CAD电路仿真工具 PSpice模拟研究了
关键词 MOS管 特性曲线 沟道长度调制效应 调制效应 计算机仿真 MOS场效应管 PSPICE软件
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CMOS衬底调制阈值调整型RF-DC整流器
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作者 李媛媛 韦保林 +2 位作者 韦雪明 徐卫林 段吉海 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期667-671,共5页
基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间。对整流器工作原理进行了分析,对电路进行了仿真。结果表明,... 基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间。对整流器工作原理进行了分析,对电路进行了仿真。结果表明,改进后的CMOS交叉耦合桥式整流器在输入功率为-16dBm@900 MHz时,输出电压为1.48V,输出电压和稳定时间分别比传统电路提高了13mV和22μs。 展开更多
关键词 射频能量收集整流器 CMOS交叉耦合桥式整流器 调制效应
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衬底温度调制生长GZO薄膜的性能研究
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作者 童帆 胡跃辉 +3 位作者 陈义川 胡克艳 劳子轩 帅伟强 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期20-25,共6页
利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和... 利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和四探针测试仪对GZO薄膜进行表征。结果表明:不同的衬底温度调制下生长的GZO薄膜都具有明显的c轴择优取向,对于衬底温度调制条件下,在150℃/RT条件下的薄膜结晶最好,且在可见近红外波段(480~1600 nm)平均透过率达到85.4%左右,薄膜最低方阻达到60Ω/□。 展开更多
关键词 射频麟控溅射 GZ0薄膜 底温度调制 光电性能
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调制衬度显微镜
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作者 张一芳 《光仪技术》 1990年第1期37-46,共10页
关键词 调制度法 显微镜 MCM
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调制衬度显微镜的应用
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作者 霍夫.,罗 张一芳 《光仪技术》 1989年第4期42-48,共7页
关键词 显微镜 调制 光学仪器 应用
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Fresnel数对光束填充因子的影响 被引量:4
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作者 游开明 胡巍 +1 位作者 郭弘 刘承宜 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期120-124,共5页
本文利用快速汉克尔变换算法研究了高功率激光束在自空间传输过程中形成低频调制对光束质量的影响 ,指出了衍射调制深度跟光束宽度及传输距离等参数之间的变化关系 .这种关系给出了如何选择传输参数以减少不利的低频调制的参考方法 .
关键词 FRESNEL数 填充因子 调制衬比 光束 高功率激光器
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一种PMOS管传输型高效电荷泵电路设计 被引量:1
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作者 李珂 郭晓宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期95-99,共5页
设计了一种基于传统Dickson结构的PMOS管传输型电荷泵电路。电路通过衬底电位跟随器实现PMOS管传输,避免了传输过程中阈值电压损失;通过电阻分压反馈网络、控制振荡器输出达到稳压的目的;在电荷泵不工作时,各个子电路关断,实现低功耗设... 设计了一种基于传统Dickson结构的PMOS管传输型电荷泵电路。电路通过衬底电位跟随器实现PMOS管传输,避免了传输过程中阈值电压损失;通过电阻分压反馈网络、控制振荡器输出达到稳压的目的;在电荷泵不工作时,各个子电路关断,实现低功耗设计。仿真结果表明,电路效率高,上电时间短,纹波小;采用SMIC 0.18μm工艺流片,电路达到设计要求,输出高压稳定,驱动能力强,在1M EEPROM电路芯片中得到实际应用。 展开更多
关键词 电荷泵 底电位调制 P沟道金属氧化物半导体晶体管
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