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硅片上集成高介电调谐率的柱状纳米晶BaTiO_(3)铁电薄膜 被引量:1
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作者 赵玉垚 欧阳俊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期596-602,共7页
钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTi... 钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTiO_(3)晶格常数相匹配的LaNiO_(3)作为缓冲层,以调控其薄膜结晶取向,在单晶Si(100)基底上450℃溅射制备了结构致密的柱状纳米晶BaTiO_(3)薄膜。研究表明:450℃溅射温度在保持连续柱状晶结构和(001)择优取向的前提下,能获得相对较大的柱状晶粒(平均晶粒直径27 nm),一定残余应变也有助于其获得较好的铁电和介电性能。剩余极化强度和最大极化强度分别达到了7和43μC·cm^(-2)。该薄膜具有良好的绝缘性,在0.8 MV·cm^(-1)电场下,漏电流密度仅为10^(-5) A·cm^(-2)。其相对介电常数εr展现了优异的频率稳定性:在1 kHz时εr为155,当测试频率升至1 MHz,εr仅轻微降低至145。薄膜的介电损耗较小,约为0.01~0.03(1 kHz~1 MHz)。通过电容-电压测试,该薄膜材料展示出高达51%的介电调谐率,品质因子亦达到17(@1 MHz)。本研究所获得的BaTiO_(3)薄膜在介电调谐器件中有着良好的应用前景。 展开更多
关键词 BaTiO_(3) 铁电薄膜 柱状纳米晶 介电调谐率 品质因子
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两步加压法制备高介电调谐率的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3厚膜
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作者 刘俊 曾亦可 +1 位作者 姜胜林 张光祖 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期505-508,共4页
在传统的丝网印刷厚膜制备工艺中增加了两步加压预处理流程,采用这种新方法制备了致密的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜,并系统地研究了两步加压法对BST厚膜微结构和介电性能的影响。结果表明,与传统工艺相比,两步加压法可使BST厚膜获得更致... 在传统的丝网印刷厚膜制备工艺中增加了两步加压预处理流程,采用这种新方法制备了致密的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜,并系统地研究了两步加压法对BST厚膜微结构和介电性能的影响。结果表明,与传统工艺相比,两步加压法可使BST厚膜获得更致密的微结构和更高的介电调谐率。在20℃和10kHz环境下,厚膜的介电常数和介电损耗分别为958和0.013 4,6kV/mm偏场下介电调谐率和优值分别为48.6%和36.3。 展开更多
关键词 Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)厚膜 两步加压 孔洞 介电性能 调谐率
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基于信道化的调谐率测量研究
3
作者 陈海峰 林存花 《电子科技》 2011年第5期38-40,共3页
阐述了正交双通道信号的特性,给出了16路和32路的信道模型。在此基础上,让待测的线性调频信号,三角调频信号和正弦调频信号分别通过这两种信道,然后用正交双通道法对输出信号取包络,就可以求得每一个通道的调谐率,最后总结出信道数量差... 阐述了正交双通道信号的特性,给出了16路和32路的信道模型。在此基础上,让待测的线性调频信号,三角调频信号和正弦调频信号分别通过这两种信道,然后用正交双通道法对输出信号取包络,就可以求得每一个通道的调谐率,最后总结出信道数量差异和调谐方式不同对测试产生的影响。 展开更多
关键词 正交化 信道化处理 调谐率测量
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(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3/LaNiO_3异质薄膜的介电调谐特性 被引量:1
4
作者 熊惠芳 唐新桂 +1 位作者 蒋力立 陈王丽华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期80-82,86,共4页
用脉冲激光沉积工艺制备(Ba0.5Sr0.5)TiO3(简称BST)薄膜和(Ba0.5Sr0.5)TiO3/LaNiO3(简称BST/LNO)薄膜。在650℃原位退火10min,获得了(100)和(110)择优取向生长的BST和BST/LNO薄膜,薄膜晶粒呈柱状结构,BST薄膜和BST... 用脉冲激光沉积工艺制备(Ba0.5Sr0.5)TiO3(简称BST)薄膜和(Ba0.5Sr0.5)TiO3/LaNiO3(简称BST/LNO)薄膜。在650℃原位退火10min,获得了(100)和(110)择优取向生长的BST和BST/LNO薄膜,薄膜晶粒呈柱状结构,BST薄膜和BST/LNO异质结构薄膜的晶粒尺寸分别为150~200nm和50~80nm。在室温和1MHz条件下,BST薄膜和BST/LNO异质结构薄膜的相对介电常数和介电调谐率分别达811和58.9%、986和60.1%;用LNO作底电极,可增益介电常数和介电调谐率。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 钛酸锶钡薄膜 异质结构 介电调谐率 探测优值
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应变诱导外延Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_(3)薄膜铁电介电性能的频率依赖特性
5
作者 张宪贵 宋建民 +1 位作者 康艳霜 史孟飞 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第4期1-6,共6页
基于修正的Landau-Devonshire唯象理论和Landau-Khalatnikov方程,研究了不同失配应变下外延Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_(3)薄膜相稳定性和频率依赖的铁电介电性能。结果表明:室温下铁电c相、正交aa相和顺电相为稳态相且均为二级相变;在0.1 kH... 基于修正的Landau-Devonshire唯象理论和Landau-Khalatnikov方程,研究了不同失配应变下外延Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_(3)薄膜相稳定性和频率依赖的铁电介电性能。结果表明:室温下铁电c相、正交aa相和顺电相为稳态相且均为二级相变;在0.1 kHz的外加电场频率下,压应变增加了c相的面外剩余极化强度(P_(r))和矫顽场(E_(c)),而拉应变增加了aa相的面内剩余极化强度和矫顽场。此外,随着频率的增加,相界处P_(r)和E_(c)均增加,介电常数呈先快速后缓慢的下降趋势,最大调谐率逐渐减小且相应失配应变逐渐趋于零,这主要归因于频率的增加导致相变温度(ΔT_(c))升高。进一步计算显示,面外的失配应变移动、调谐率降低和ΔT_(c)分别为0.017%、10.6%、7.3℃,其与面内结果(0.019%,9.7%,7.7℃)相近。 展开更多
关键词 外延薄膜 Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_(3) 失配应变 调谐率
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铬掺杂钛酸锶钡陶瓷的介电调谐性能 被引量:4
6
作者 李儒兴 龚佳 +1 位作者 程晋荣 孟中岩 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期189-193,共5页
研究了Cr掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷的介电及其可调性能的影响.结果表明,少量的Cr可进入BST品格形成固溶体,并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善... 研究了Cr掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷的介电及其可调性能的影响.结果表明,少量的Cr可进入BST品格形成固溶体,并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善,其中Cr掺杂0.6%的BST陶瓷具有最佳的综合性能,其在1MHz下的介电损耗为0.0005,品质因子(FoM)达到500,而未掺杂样品的FoM值仅为60.Cr掺杂陶瓷损耗的急剧降低可归因于Cr3+离子的还原和Cr3+、Cr2+受主行为中和了氧空位的施主行为. 展开更多
关键词 无机非金属材料 钛酸锶钡 CR掺杂 调谐率 介电损耗
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BST-BT_(4/13)复合陶瓷介电调谐性能的研究 被引量:2
7
作者 郑瑞 金灯仁 +1 位作者 徐凯 程晋荣 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第1期12-16,共5页
通过固相反应法制备了高介电相含量和高温度稳定性的介电可调Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-Ba_4Ti_(13)O_(30)(BSTBT_(4/13))复合陶瓷,研究了介电相BT_(4/13)含量和烧结温度对其显微结构、介电性能和调谐性能的影响。结果表明,BT_(4/13)含量... 通过固相反应法制备了高介电相含量和高温度稳定性的介电可调Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-Ba_4Ti_(13)O_(30)(BSTBT_(4/13))复合陶瓷,研究了介电相BT_(4/13)含量和烧结温度对其显微结构、介电性能和调谐性能的影响。结果表明,BT_(4/13)含量的增加有利于BST-BT_(4/13)复合陶瓷烧结性能的提高、介电常数的下降及其温度稳定性的增强,但会降低其调谐率。随着烧结温度的升高BST-BT_(4/13)复合陶瓷的介电常数增大。当BT_(4/13)相的体积分数高达92%时,BSTBT_(4/13)复合陶瓷在20~160℃内具有优异的温度稳定性及其介电常数在20~65℃之间几乎不变,且表现出明显的介电非线性,在10kV/cm的直流偏置场强下调谐率仍可达1%。 展开更多
关键词 Ba0.6Sr0.4TiO3-Ba4Ti13O30 复合陶瓷 介电温度稳定性 调谐率
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A Dual-polarized Frequency Selective Rasorber with a Tunable Transparent Band
8
作者 SHI Tongtong ZHANG Xiaofa +4 位作者 WU Weiwei WANG Shaozhi XU Yixuan YAN Yuchen YAN Xiao 《电讯技术》 北大核心 2024年第10期1569-1575,共7页
A tunable dual polarization absorption-transmission-absorption(A-T-A)frequency selective absorbers(FSR)to address the issue of high insertion loss in current tunable FSRs is proposed.The lumped resistors are loaded on... A tunable dual polarization absorption-transmission-absorption(A-T-A)frequency selective absorbers(FSR)to address the issue of high insertion loss in current tunable FSRs is proposed.The lumped resistors are loaded onto the lossy layer to absorb electromagnetic waves within the absorption band.The varactor diodes are loaded onto another lossless layer to control the transmission frequency band of the FSR.Its equivalent circuit model is provided.The proposed tunable FSR can change the passband within the range of 14.5~15.5 GHz by changing the bias voltage applied to the lossless transmission layer,while maintaining insertion loss above-1.67 dB.The series resonant structure of the lossy layer generates bilateral absorption bands between 10.2~13.5 GHz and 17.2~22 GHz,with broadband reflection suppression ranging from 10.3 GHz to 22 GHz(70.7%).The prototype is manufactured,and the measured results have verified the simulation results. 展开更多
关键词 tunable frequency selective rasorber DUAL-POLARIZATION RCS reduction stealthy radomes
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双色波作用下港池长周期波浪模拟研究
9
作者 薛智博 刘远超 王闻恺 《水运工程》 北大核心 2023年第11期43-48,54,共7页
防波堤对长周期波浪的掩护较差,长周期波浪容易直接侵袭港内,恶化港内作业条件。依托物理模型试验结果,基于BW数值模型研究双色波作用下港池长周期波浪产生机制。对BW数值模型进行验证,模型与试验结果吻合良好。在频率分别为f_(1)和f_(2... 防波堤对长周期波浪的掩护较差,长周期波浪容易直接侵袭港内,恶化港内作业条件。依托物理模型试验结果,基于BW数值模型研究双色波作用下港池长周期波浪产生机制。对BW数值模型进行验证,模型与试验结果吻合良好。在频率分别为f_(1)和f_(2)的双色波作用下,波浪间发生非线性作用产生Δf、2f_(1)-f_(2)、2f_(2)-f_(1)、2f_(1)、f_(1)+f_(2)、2f_(2)等频率的波浪,当产生的长周期波浪Δf与港口自振频率趋于一致时,长周期波浪波高被港池捕捉发生共振而放大。随着双色波入射波高、调谐率的增加,波浪之间的非线性作用增强,长周期波高显著增大。 展开更多
关键词 长周期波浪 数值模型 双色波 非线性作用 入射波高 调谐率
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LaAlO_3(110)基片上BST薄膜的制备及性能研究 被引量:1
10
作者 王波 杨传仁 +3 位作者 陈宏伟 张继华 余桉 张瑞婷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第1期106-108,122,共4页
采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料。薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向。测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37μC/cm2,矫顽电场... 采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料。薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向。测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37μC/cm2,矫顽电场强度EC=31.7 kV/cm。对比不同频率下的偏压特性,100 kHz时薄膜具有最高的优值因子F,为23.4。对介电损耗在1 MHz时的增大,作出了初步的解释。 展开更多
关键词 钛酸锶钡(BST) 射频磁控溅射 调谐率 优值因子
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退极化场对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)外延薄膜的铁电和介电性能的影响 被引量:1
11
作者 张宪贵 那木拉 +1 位作者 宋建民 杨帆 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第2期7-12,共6页
基于Ginzburg-Landau-Devonshire唯象理论,定性研究了在有或无退极化场情形下外延Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)薄膜的铁电和介电性能随厚度的依赖特性。结果表明:与无退极化场相比,退极化场的存在使薄膜极化强度空间分布更均匀,抑制了系统... 基于Ginzburg-Landau-Devonshire唯象理论,定性研究了在有或无退极化场情形下外延Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)薄膜的铁电和介电性能随厚度的依赖特性。结果表明:与无退极化场相比,退极化场的存在使薄膜极化强度空间分布更均匀,抑制了系统的平均极化强度,降低了相变温度(ΔT_(c)),但增加了临界厚度(Δh_(c)、Δh_(m))和调谐率(Δφ),尤其在电极弱补偿情况下更加显著,厚度为100 nm时薄膜的ΔT_(c)、Δh_(c)、Δh_(m)和Δφ分别约为-57.5℃、15 nm、40 nm和20%;外延薄膜的介电性能取决于极化强度对外加电场的响应能力,而非极化本身,这一观点可从完全相反的极化强度和调谐率厚度依赖性趋势充分证明。 展开更多
关键词 铁电薄膜 退极化场 厚度 调谐率
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铌酸钠钾基压电陶瓷的电场诱导介电特性 被引量:1
12
作者 叶有祥 周云 +2 位作者 周盛华 董艳燕 李海华 《中国计量学院学报》 2010年第2期179-182,共4页
采用传统的固相反应合成法制备了0.9(K0.5Na0.5)NbO3-0.1LiSbO3(KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了它在不同直流偏置电场下的介电常数的频谱,并分析了直流偏置电场诱导下的相对介电常数变化值Δrε和调谐率K.随着偏置电场的增大,Δrε和K都变... 采用传统的固相反应合成法制备了0.9(K0.5Na0.5)NbO3-0.1LiSbO3(KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了它在不同直流偏置电场下的介电常数的频谱,并分析了直流偏置电场诱导下的相对介电常数变化值Δrε和调谐率K.随着偏置电场的增大,Δrε和K都变大,这与传统的钛酸锶钡陶瓷类的材料结果相反.同时,随着频率的增加,Δrε和K都减小.Δrε随偏置电压的增加而增大,意味着在高的电压下,样品的色散效应增大,其原因可以用空间电荷的极化理论来解释.另外,在外加偏置电压不高的情况下(3 kV/cm),就可以获得相对较大的调谐率1.17%. 展开更多
关键词 压电陶瓷 直流偏置电场 调谐率
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稀土氧化物掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO复合物结构及微波介电性能的影响(英文)
13
作者 汪小红 吕文中 +1 位作者 范桂芬 何建平 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1009-1014,共6页
研究了不同质量分数(0~1.5%)的各种稀土氧化物对Ba0.6Sr0.4Ti O3(40%)-MgO(60%)陶瓷微观结构和介电性能的影响。研究表明,大半径的稀土离子掺杂能有效降低材料的介电常数并提高品质因数;而小半径的稀土离子掺杂则会提高材料的微... 研究了不同质量分数(0~1.5%)的各种稀土氧化物对Ba0.6Sr0.4Ti O3(40%)-MgO(60%)陶瓷微观结构和介电性能的影响。研究表明,大半径的稀土离子掺杂能有效降低材料的介电常数并提高品质因数;而小半径的稀土离子掺杂则会提高材料的微波介电损耗。当掺杂量超过0.2%时,所有样品的调谐率都随着添加量的增加而下降。与未掺杂的BST-MgO相比,0.2%稀土掺杂样品的调谐率变化规律及机理随掺杂物的不同而不同:Nd2O3和Yb2O3掺杂样品中调谐率的大幅度升高归因于结电容的贡献,Sm2O3掺杂样品调谐率的下降主要由MgO晶粒的聚集所致,而Y3+同时占据A位和B位引起了样品调谐率的下降。研究发现在BST-MgO中添加具有大离子半径的稀土氧化物(如La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3)并优化其添加量,能满足铁电移相器等微波调谐器件的要求。 展开更多
关键词 调谐率 微波介电性能 稀土氧化物 BST MGO
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0.15CoAl_(0.2)Fe_(1.8)O_4-0.75BaTiO_3纳米磁电复合材料的电场诱导介电特性研究
14
作者 叶有祥 周云 盖振涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第20期8-10,14,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了0.15CoAl0.2Fe1.8O4-0.75BaTiO3纳米磁电复合材料。XRD分析表明,制备的样品中包含钙钛矿(BaTiO3相)和尖晶石结构(CoAl0.2Fe1.8O4相),没有其它明显杂相生成。扫描电镜表明,颗粒平均粒径约为45nm,且压磁相均匀分布... 采用溶胶-凝胶法制备了0.15CoAl0.2Fe1.8O4-0.75BaTiO3纳米磁电复合材料。XRD分析表明,制备的样品中包含钙钛矿(BaTiO3相)和尖晶石结构(CoAl0.2Fe1.8O4相),没有其它明显杂相生成。扫描电镜表明,颗粒平均粒径约为45nm,且压磁相均匀分布于压电相中。研究了该纳米磁电复合材料在外加偏置静电场诱导下的介电常数随频率的变化,分析了直流偏置电场诱导下的相对介电常数变化值Δεr和调谐率K。随着偏置电场的增大,Δεr和K都变大;随着频率的增加,Δεr和K都减小。并且,在外加偏置电压为3kV/cm时可以获得相对较大的调谐率(4.05%)。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 纳米磁电复合材料 直流偏置电场 调谐率
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BaZr_(0.25)Ti_(0.75)O_3-BaMg_6Ti_6O_(19)-MgO的介电性能
15
作者 江铭波 贺华 《湖北工业大学学报》 2015年第5期55-57,共3页
采用固相反应法制备BaZr0.25Ti0.75O3-BaMg6Ti6O19-MgO复合陶瓷材料,研究其介电调谐性能。将一定量的Mg2TiO4-MgO加入到BaZr0.25Ti0.75O3中可以得到铁电(BaZr0.25Ti0.75O3)-介电(BaMg6Ti6O19-MgO)复合材料,材料介电常数和介电损耗降低,... 采用固相反应法制备BaZr0.25Ti0.75O3-BaMg6Ti6O19-MgO复合陶瓷材料,研究其介电调谐性能。将一定量的Mg2TiO4-MgO加入到BaZr0.25Ti0.75O3中可以得到铁电(BaZr0.25Ti0.75O3)-介电(BaMg6Ti6O19-MgO)复合材料,材料介电常数和介电损耗降低,同时保持较高的调谐率。按w(Mg2TiO4):w(MgO):w(BaZr0.25Ti0.75O3)=3:2:5制得的复合材料在室温下测量介电常数约为200,损耗率是0.004,在2.5kV/mm和1 MHz下测量调谐率为32%。这说明该复合材料是一种很有前景的备选材料,可用于要求较低介电常数的微波调谐应用。 展开更多
关键词 BZT 介电损耗 介电常数 调谐率
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外延Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)薄膜铁电介电性能的厚度依赖性研究
16
作者 张宪贵 杨文华 +1 位作者 李佳欣 郭栩利 《中国金属通报》 2021年第23期116-118,共3页
基于含时Ginzburg-Landau-Devonshire理论,定性研究了Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)外延薄膜铁电和介电性能的厚度依赖性.结果表明:随厚度增加,面外剩余极化和矫顽场均呈先增加后减小趋势,且在临界厚度(~19.6 nm)处达到最大值(分别为~0.28 C/... 基于含时Ginzburg-Landau-Devonshire理论,定性研究了Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3)外延薄膜铁电和介电性能的厚度依赖性.结果表明:随厚度增加,面外剩余极化和矫顽场均呈先增加后减小趋势,且在临界厚度(~19.6 nm)处达到最大值(分别为~0.28 C/m^(2)和448.56 kV/cm),而介电常数和调谐率则均呈先增加后减小再增加的趋势,并在临界厚度处最小(分别为~137.7和35.7%).通过厚度优化,发现200nm薄膜可获得~97.2%高调谐率,这归因于铁电相变附近介电常数的突变所致。. 展开更多
关键词 铁电薄膜 厚度 调谐率
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电泳沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜及其电学性能研究 被引量:1
17
作者 符云飞 樊慧庆 +1 位作者 邓永丽 陈晋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期687-690,共4页
采用电泳沉积法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上制备了厚度为33μm的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST40)厚膜,研究了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性.实验结果表明:采用水热法制备纳米BST40粒子,经250MPa高压压制,950℃热处理后,BST40厚膜可形... 采用电泳沉积法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上制备了厚度为33μm的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST40)厚膜,研究了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性.实验结果表明:采用水热法制备纳米BST40粒子,经250MPa高压压制,950℃热处理后,BST40厚膜可形成完整的立方钙钛矿结构且表面致密、无裂纹.ε-V特性表明,1kHz时厚膜调谐率可达59.2%.I-V特性表明,当电压从-25~25V变化时,漏导电流<100μA/cm^2.测量了在1kHz,不同温度下厚膜的电滞回线.在0℃时,其剩余极化强度为1.06μC/cm^2. 展开更多
关键词 BST厚膜 电泳沉积 调谐率 电滞回线
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溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响 被引量:1
18
作者 黎彬 赵华 +1 位作者 杨天应 蒋书文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期12-15,共4页
采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺... 采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。 展开更多
关键词 铌酸铋镁(BMN)薄膜 射频磁控溅射 介电调谐率 介质损耗
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梯度组分BST薄膜的制备及其电学性能的研究 被引量:3
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作者 项超 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第1期58-61,共4页
采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备上、下梯度组分BST薄膜,研究在相同条件下沉积的上、下梯度组分BST薄膜的微结构及电学性能.实验表明:下梯度组分BST薄膜在测试频率为200 kHz时,介电常数为343.75,介电损耗为0.025;在... 采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备上、下梯度组分BST薄膜,研究在相同条件下沉积的上、下梯度组分BST薄膜的微结构及电学性能.实验表明:下梯度组分BST薄膜在测试频率为200 kHz时,介电常数为343.75,介电损耗为0.025;在250 kV/cm偏置电场下,介电调谐率为45.86%,与上梯度组分BST薄膜相近;但是下梯度组分薄膜的优值因子远大于上梯度组分薄膜的优值因子(7.81),达到18.34,说明下梯度组分BST薄膜是比较理想的介电调谐材料,用于微波调谐器件是可行的. 展开更多
关键词 梯度组分薄膜 射频磁控溅射 介电调谐率 介电损耗
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Effect of Weak Noise on the Frequency Tuning of Mouse Inferior Collicular Neurons 被引量:8
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作者 唐佳 皮建辉 +2 位作者 王丹 吴飞健 陈其才 《Zoological Research》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期191-197,共7页
In order to study the effect of weak noise on the sound signal extraction of mouse (Mus musculus Km) inferior collicular (IC) neurons from environments,we examined the changes in frequency tuning curves (FTCs) of 32 n... In order to study the effect of weak noise on the sound signal extraction of mouse (Mus musculus Km) inferior collicular (IC) neurons from environments,we examined the changes in frequency tuning curves (FTCs) of 32 neurons induced by a weak noise relative to 5 dB below minimum threshold of tone (reMT-5 dB) under free field stimulation conditions.The results were as follows:① There were three types of variations in FTCs,sharpened (34.4%),broadened (18.8%),and unaffected (46.9%),nevertheless,only the alteration of sharpened FTCs was statistically different.② Sharpness of frequency tuning induced by a reMT-5 dB noise was very strong.Q 10 and Q 30 of FTCs were increased by (34.42±17.04)% (P=0.026,n=11) and (46.34±22.88)% (P=0.009,n=7).③ The changes of inverse-slopes (ISs,kHz/dB) between high (IS high) and low (IS low) limbs of FTCs were dissymmetry.The IS high of FTCs decreased markedly (P=0.046,n=7),however,there was little change (P=0.947,n=7) in IS low.Our data revealed for the first time that the weak noise could sharpen frequency tuning and increase the sensitivity on the high frequency of sound signal in IC neurons of mouse. 展开更多
关键词 Weak white noise Sharpening frequency tuning Inferior collicular neurons MOUSE
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