5.28～6.0GHz高谐波抑制度的十二倍频器

研制 5 .2 8～ 6 .0 GHz十二倍频器 ,采用三次和四次倍频级连方法 ,使本倍频器在 - 6 d Bm信号输入情况下整个频段内输出功率大于 10 d Bm,功率起伏小于 2 d B,谐波抑制度大于 40 d B.介绍了倍频器的设计思路。

雷达谐波抑制度测量及不确定度评定

结合某大功率雷达谐波抑制度测量实例,优化了测试天线被动对准方法,通过放大器与滤波器组合测量,得到了测量结果。分别使用"测量不确定度表示指南"(GUM)法和自适应蒙特卡洛法(AMCM)建立测量模型,对测量结果不确定度进行评定,在不确定度来源相同条件下,通过比较95%概率包含区间端点差值,GUM法未通过AMCM验证,AMCM对该项目测量结果不确定度评定有更高的可靠性。

一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。

基于LTCC技术的手机天线开关滤波器

采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。

基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块

描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通路插入损耗不大于1.25 dB,其余各通路插损不大于1.35 dB;GSM收发通路间隔离度不小于43 dB,与UMTS通路间隔离度不小于40 dB;GSM两个发射通路二次谐波抑制比分别大于66dBc和54 dBc。

K波段推-推介质振荡器设计

为了满足现代通信系统对于高频率与高稳定性信号源的需求,提出一种K波段介质振荡器。该振荡器通过推-推结构将两路子振荡器合二为一,使其能够在一个电路中同时实现振荡器和倍频器。在介质谐振器的两条耦合微带线上增加变容二极管模块,通过改变变容二极管的偏置电压调整谐振器中传输信号的相位。变容二极管模块的加入能够有效降低有源器件不一致性对电路的影响,减少两个子振荡器在基频处对输出信号的干扰,同时让振荡器获得200 MHz左右的输出信号频率可调范围。测试结果表明:在输出频率为20.96 GHz时,输出功率约为-4.59 dBm,在10 kHz时达到-66.50 dBc/Hz的相位噪声,在100 kHz时达到-94.31 dBc/Hz的相位噪声,基波抑制度达到-25.42 dBc。

调频晶体管高频功率放大器的组成与特点

本文简单介绍目前调频广播发射机功率放大器组成以及在功放模块中普遍使用的金属氧化物半导体场效应晶体管V-MOSFET的特点

一种X波段功率放大组件设计

本论文主要研究和设计了一种X波段GaN线性固态功率放大器组件,该固态放大器由功分器、可变增益放大器、功率放大器和隔离器等模块组成。电路采用一种混压阶梯结构的PCB工艺方式,将微波电路与控制电路集成在一张电路板上,实现了两路同时最大输出功率达30dBm的功率放大组件。最后经实测结果表明,功放组件在X波段250MHz带宽范围内最大输出功率+30.48dBm,带内平坦度优于±1dB。谐波抑制度优于-55dBc。