应用于无线通信的高效宽带GaN HEMT功率放大器

基于GaN器件设计了一款带宽达到1.2GHz^2.6GHz功率放大器,覆盖了移动、电信、联通三家运营商频段.漏级效率达到60%~88%,相对带宽达到73%,平均输出功率10 W以上,大信号增益为10~12dB.采用基波阶跃式匹配与谐波控制网络进行设计,解决了同时兼有高效率和宽频带的GaN功率放大器中一系列关键性问题,为4G基站高效率宽带下的功率放大器研制提供一种新的实现途径和方法.

基于40nm CMOS工艺的高效率功率放大器设计

针对硅基毫米波功率放大器存在的饱和输出功率较低、增益不足和效率不高的问题,基于TSMC 40nm CMOS工艺,设计了一款工作在28GHz的高效率和高增益连续F类功率放大器。提出的功率放大器由驱动级和功率级组成。针对功率级设计了一款基于变压器的谐波控制网络来实现功率合成和谐波控制,有效地提高了功率放大器的饱和输出功率和功率附加效率。采用PMOS管电容抵消功率级的栅源电容,进一步提高线性度和增益。电路后仿真结果表明,设计的功率放大器在饱和输出功率为20.5dBm处的峰值功率附加效率54%,1dB压缩点为19dBm,功率增益为27dB,在24GHz~32GHz频率处的功率附加效率大于40%。