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基于SiC功率器件的PFC电路设计
1
作者
姚广平
张炎
+1 位作者
王振辉
潘玉灼
《商丘师范学院学报》
CAS
2024年第9期13-16,共4页
利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路.该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,...
利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路.该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,提升电源利用率以及稳定性.
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关键词
碳化硅(SiC)
负压关断
PFC
功率因数
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职称材料
题名
基于SiC功率器件的PFC电路设计
1
作者
姚广平
张炎
王振辉
潘玉灼
机构
泉州师范学院物理与信息工程学院
出处
《商丘师范学院学报》
CAS
2024年第9期13-16,共4页
基金
福建省科技厅引导性项目(2021H0051)
泉州市科技局人才项目(2020C029R)。
文摘
利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路.该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,提升电源利用率以及稳定性.
关键词
碳化硅(SiC)
负压关断
PFC
功率因数
Keywords
SiC
negative voltage shutdown circuit
PFC
power factor
分类号
TP23 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SiC功率器件的PFC电路设计
姚广平
张炎
王振辉
潘玉灼
《商丘师范学院学报》
CAS
2024
0
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