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基于SiC功率器件的PFC电路设计
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作者 姚广平 张炎 +1 位作者 王振辉 潘玉灼 《商丘师范学院学报》 CAS 2024年第9期13-16,共4页
利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路.该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,... 利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路.该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,提升电源利用率以及稳定性. 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 负压关断 PFC 功率因数
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