某负基准电路输出异常原因分析

某批负基准电路芯片产品,筛选及检验合格,但在用户使用时,部分出现输出异常现象。通过试验、仿真等手段对该异常现象进行了分析,发现是由于工艺参数波动造成负基准电路芯片的稳定性差异。工艺参数偏差大的芯片稳定性相对较低甚至临界,带容性负载和抗干扰能力下降,接入组件后容易出现输出振荡。论文详细介绍了分析的过程,阐述了失效机理,并对工艺控制、筛选试验提出了解决措施。分析结论对后续类似产品的研发生产具有一定借鉴意义。

基于CMOS工艺的负压低压差线性稳压器设计

设计了一种应用于射频功放的负压低压差线性稳压器。通过设计负压带隙基准源,以及采用预稳压模块,有效地降低了电源电压对负压LDO输出电压的影响;通过优化控制环路中的功率管尺寸、误差放大器以及电阻反馈网络等措施,在保证大电流输出的前提下,有效地降低了负压LDO的压差,提高了稳压器的整体性能。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并实现,测试结果表明,当输出电流为500mA,输出电压为-3V时,压差仅为170mV。