对流热过程数值计算稳定性关系新探讨(Ⅰ)──耗散熵产非负定性分析

探讨性地定义了广义熵的概念；对于给定的模型方程，建立了相应的熵方程，揭示了模型方程潜在固有的耗散熵产非负定性质；提出了以该非负定性为准则，对模型方程的一般化数据格式稳定性限制条件的分析方法．针对一些典型的数值格式导出了具体的限制性条件，归纳性地显示该方法的结果为稳定性的充分条件。

关于二元函数非负定性的一个注记

非负定性是数学中一个重要概念,本文提出了二元函数非负定性的两个定义,并且证明了它们的等价性.此外本文还给出了严格非负定条件下实正态过程存在的一个充要条件.

第一陈类在复结构形变下的稳定性

为证明第一陈类除c_(1)=0之外的正定性c_(1)>0和负定性c_(1)<0在复结构形变下的稳定性,考虑对于任意连通复空间X上的凝聚层F,推导出层上同调满足的公式,证明第一陈类的正定性和负定性在复结构形变下是稳定的.第一陈类c_(1)=0、正定性c_(1)>0、负定性c_(1)<0都是形变稳定的.

PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究

阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力的氮化硅刻蚀阻挡层,可以有效改善PMOS NBTI寿命。

一种改进的非负限定性支持域算法

引入单调平滑的对数函数,对原代价函数取以e为底的对数进行复合,提出了一种改进的非负限定性支持域算法.从代价函数的梯度入手推导出共轭梯度算法,其搜索方向保持不变而搜索步长变小,使滤波系数更加逼近于点扩展函数逆算子,从而使估计图像与原始图像更加接近.对文字模糊图像的仿真结果表明,与原始算法相比,改进算法的均方误差曲线收敛性及稳定性更好,提高了恢复图像的信噪比.

沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.

多电飞机电源系统的负载稳定性分析

阐述了恒功率负载的概念及其特性,介绍了电源系统中恒功率负载的工作原理,并对多电飞机电源系统的系统特性进行了分析。在此分析基础上,提出了解决负阻抗特性引起的飞机电源系统不稳定的方法,最后给出了保证系统稳定的条件。

纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法

P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。

高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide,HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched,BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)像素阵列.利用N_(2)O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N_(2)O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N_(2)O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.

环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管负偏压光照稳定性的影响

为了探究环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的负偏压光照(NBIS)稳定性的影响,本文使用非密闭腔室进行不同波长光照射下以及不同相对湿度下的TFT负偏压测试。介绍了a-IGZO TFT的基本结构以及实验所用I-V测试系统。测试了不同波长光照条件下a-IGZO TFT的转移特性曲线以及相同波长光照射下不同相对湿度的转移特性曲线。实验结果表明a-IGZO TFT的转移特性曲线随着电压偏置时间的增加而发生负偏;随着光照波长的减小,器件阈值电压负漂越明显。随着相对湿度增加,a-IGZO TFT的NBIS不稳定性逐渐降低,但其电学特性发生了严重的劣化。在相对湿度为50%,光照波长为400 nm时,a-IGZO TFT的NBIS电学特性最好,其在负偏压时间为1500 s时的阈值电压偏移为15 V。

负偏压不稳定性的危害及防治

负偏压不稳定性(NBTI)已成为现代集成电路制造的巨大挑战。文章将讨论负偏压不稳定性对器件及电路的影响,并对影响负偏压不稳定性的集成电路制造步骤进行分析。最后,我们找到一些对现有工艺进行改进的方法来减小负偏压不稳定性。

用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性

本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature insta-bility)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method)。用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(ΔVth)信息。这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响。

终身免疫型传染病动力模型非负平衡点的稳定性

本文主要研究了终身免疫型传染病动力模型非负平衡点的稳定性,并研究了正常而被感染者的出生率 b_t 等于第Ⅰ类人正常而被感染者的死亡率 d_2时,在平衡点(0,0,0)时的稳定性。

考虑工作负载影响的电路老化预测方法

晶体管老化效应已成为影响集成电路可靠性的重要因素.文中基于晶体管老化效应的物理模型,提出一种电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化.首先计算出在最坏操作情况下电路老化的上限值;随后通过考虑工作负载和电路的逻辑拓扑对老化效应的影响,采用非线性规划求得会导致最大电路老化的最差占空比组合.实验结果表明,与同类方法相比,该老化分析框架对电路老化的预测具有更高的精度,更接近于电路在实际工作条件下的老化情况.

从系统矩阵直接分析线性系统稳定性

提出了从系统矩阵直接分析线性定常系统稳定性的几个定理,把系统稳定性同系统矩阵的广义负定性联系起来,并进行了分析讨论;结果表明:该分析定理与线性系统的李雅普诺夫稳定性定理是一致的。

工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性

当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于反应-扩散（R-D）模型，本文分析了工艺偏差对NBTI效应的影响；在此基础上将氧化层厚度误差和初始阈值电压误差引入到R-D模型中，提出了在工艺偏差下PMOS器件的NBTI效应统计模型.基于65 nm工艺，首先蒙特卡罗仿真表明在工艺偏差和NBTI效应共同作用下， PMOS器件阈值电压虽然会随着应力时间增大而沿着负方向增加，但是阈值电压的匹配性却随着时间推移而变好；其次验证本文提出的统计模型准确性，以R-D模型为参考，在104 s应力时间内， PMOS器件阈值电压退化量平均值和均方差的最大相对误差分别为0.058%和0.91%；最后将此模型应用到电流舵型数模转换器中，仿真结果显示在工艺偏差和NBTI效应共同作用下，数模转换器的增益误差会随着应力时间的推移而增大，而线性误差会逐渐减小.

pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释.

一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器

自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降低NBTI效应造成的PMOSFET性能退化以及工艺电压温度变化对STT-MRAM读取电路的影响,本文设计了一款包含开关器件的读取灵敏放大器,仿真结果表明所设计的灵敏放大器可有效降低NBTI对PMOSFET特性的影响,同时降低了电路对工艺变化的灵敏度。

150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究

负偏置温度不稳定(NBTI)是器件的主要可靠性问题之一,本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验,分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性,发现背栅偏置更容易导致NBTI退化,同时研究了正背栅耦合作用下NBTI效应的退化机理。

复正态过程存在的一个充要条件

通过系列分析,证明了复正态过程存在的充要条件为其协方差函数具有某种非负定性及对称性.所用的分析方法也与以往有所不同.