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绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性
被引量:
2
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作者
冯仁剑
张海波
+1 位作者
王顺勇
Katsumi URA
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期87-92,共6页
为分析 IC多层版图扫描电镜 (SEM)对准检测所利用的负带电成像原理 ,采用 Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式 ,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了 Monte Carlo模拟 ,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布 .在此基...
为分析 IC多层版图扫描电镜 (SEM)对准检测所利用的负带电成像原理 ,采用 Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式 ,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了 Monte Carlo模拟 ,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布 .在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹 ,获得了 SEM像的二次电子信号电流 .结果表明 ,在弱负带电条件下 ,照射点处表面电位越低 ,返回表面的二次电子就越多 ,对应的二次电子信号电流越弱 .此结果与
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关键词
扫描电镜
图像衬度
绝缘膜
负带电
二次电子
MONTE
CARLO模拟
集成电路测试
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职称材料
题名
绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性
被引量:
2
1
作者
冯仁剑
张海波
王顺勇
Katsumi URA
机构
西安交通大学电子科学与技术系
大阪大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期87-92,共6页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目 (教外司留 [1996] 64 4号 )~~
文摘
为分析 IC多层版图扫描电镜 (SEM)对准检测所利用的负带电成像原理 ,采用 Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式 ,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了 Monte Carlo模拟 ,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布 .在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹 ,获得了 SEM像的二次电子信号电流 .结果表明 ,在弱负带电条件下 ,照射点处表面电位越低 ,返回表面的二次电子就越多 ,对应的二次电子信号电流越弱 .此结果与
关键词
扫描电镜
图像衬度
绝缘膜
负带电
二次电子
MONTE
CARLO模拟
集成电路测试
Keywords
scanning electron microscopy
image contrast
insulating thin films
negative charging
secondary electrons
Monte Carlo methods
integrated circuit measurement
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性
冯仁剑
张海波
王顺勇
Katsumi URA
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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