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一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
被引量:
5
1
作者
刘国庆
于奇
+4 位作者
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期763-766,共4页
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μ...
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。
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关键词
CMOS基准
电流
源
负温系数电流
低
温
漂
低电源电压调整率
下载PDF
职称材料
题名
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
被引量:
5
1
作者
刘国庆
于奇
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
机构
电子科技大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期763-766,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60072004)
文摘
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。
关键词
CMOS基准
电流
源
负温系数电流
低
温
漂
低电源电压调整率
Keywords
CMOS current reference
Negative temperature coefficient current
Low temperature coefficient
Low line regulation
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
刘国庆
于奇
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
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