用靶添加剂提高负溅射离子源流强的研究

用Hiconex834溅射负离子源研究了Cs_2CrO_4、CsF和CsI等靶添加剂。-定比例的Cs_2CrO_4既改善靶表面的铯覆盖又达到喷氧的效果,Fe^-、Ag^-和Cu^-的流强分别提高到纯铁、银和铜靶的10、6和3.5倍。此外,渗少量卤化铯到合适的金属靶内,可方便地制备强的相应卤素负离子束,用慕尼黑大学的高强度负溅射源,渗5％Fe_2O_3于铁靶中,使Fe^-流强提高了一倍。

氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善

本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒特性改善和GaAs MESFETs性能提高是一个非常有用的技术。