强迫症与精神分裂症错误相关负电位的比较研究

目的比较强迫症和精神分裂症患者的错误相关负电位(error-related negativity,ERN)。方法检测21例强迫症患者和19例首发精神分裂症患者的ERN和正确相关负电位(correct-related negativity,CRN),并与23名正常对照进行比较。结果与正常对照组相比,强迫症组ERN波幅增高(Z=-2.60,P<0.01),精神分裂症组ERN波幅降低(Z=-2.16,P<0.05)而潜伏期延长(t=3.60,P<0.01)。与强迫症组相比,精神分裂症组的ERN波幅降低(Z=-3.75,P<0.01)而ERN潜伏期延长(t=2.70,P<0.05)。CRN波幅和潜伏期在三组间差异无统计学意义(P>0.05)。无论是强迫症组,还是精神分裂症组,其ERN/CRN指标与临床精神症状之间均未见相关(P>0.05)。结论强迫症和精神分裂症的ERN均存在异常但方向相反,提示ERN可能作为二者鉴别诊断的参考。

事件相关电位中错误相关负电位神经发生源的研究

目的研究健康个体事件相关电位中错误相关负电位（ERN）的神经发生源。方法以24名健康志愿者为被试，采用高密度事件相关电位记录技术，由修改后的视觉Eriksen Flanker任务引出ERN，经LORETA技术对ERN差异波顶点前后125ms时间窗口内的神经发生源进行研究。结果被试者的错误反应率为（10．29±5．91）％，错误反应次数与ERN差异波平均波幅呈正相关（r=0．53，P〈0．01）；与正确判断反应相比，错误判断反应引出的ERN波幅明显增大（P〈0．001），潜伏期延迟（P〈0．05）；差异波顶点后25—74ms时ERN激活的脑功能区主要为额上回、额中回、额内侧回（Brodmann6区），差异波顶点后75—124ms时ERN激活的脑功能区位于中央后回（Brodmann2区）。结论ERN神经发生源位于额叶（Brodmann6区）及顶叶中央后回。

首发抑郁症患者的错误相关负电位

抑郁症除了有情绪低落、兴趣减退、思维阻滞等三大核心症状之外，认知功能的减退也是一个值得关注的方面，其中包括执行功能受损m。行为监控是反映执行功能的重要方面。研究表明，个体内在的行为监控过程与错误反应的事件相关电位（even—related potential，ERP）关系密切，例如错误相关负电位（error—relatednegativity，ERN）。

人类声诱发短潜伏期负电位的研究

目的在极重度感音性聋耳的ABR检测中发现一个位于3～4ms潜伏期的"V"字形负向波形,称声诱发短潜伏期负电位(Acoustically Evoked Short Latency Negative Response,ASNR)。本研究通过大宗病例调查和临床实验来探讨ASNR的特点和起源。方法回顾性调查并分析3104例ABR检测结果,以详尽了解ASNR的出现率和特性。对20名双耳极重度感音性耳聋患者(6～62岁)和12名健康人(23～30岁)进行了ABR和前庭诱发肌源性电位(VEMP)测试。患者组包括了16名人工耳蜗植入术后的患者,植入耳在裸耳状态时可提供无功能耳蜗模型。结果判读侧重于:人工耳蜗植入耳能否诱发ASNR,以及对比在极重度感音性聋耳中ASNR组和非ASNR组的VEMP出现率及反应阈值。结果ASNR仅出现于极重度感音性聋耳,并且对强声刺激(80～120dBnHL)有依赖性。在653例极重度感音性聋患者(981耳)的ABR波形中,有80例(12.3%)117耳(11.9%)出现了ASNR。ASNR有良好的重复性,可排除伪迹干扰的可能性。ASNR具有神经电位的特征,表现在随着声刺激的增强,其潜伏期缩短而振幅增大。ASNR与ABR的波形完全不一样,无法将其解释为传统听觉神经通路产生的电位。临床实验中,3个人工耳蜗植入耳能诱发出ASNR,说明ASNR的发生与耳蜗无关。所有9个ASNR耳都诱发出VEMP,且阈值与正常对照组无统计学差异(P>0.05),提示ASNR耳具有正常的球囊功能。在非ASNR组中,三分之二没有引出VEMP,而另外三分之一虽然可以诱发出VEMP,但阈值明显较正常对照组高(P<0.01),分别提示球囊功能丧失或低下。此外,有一外半规管麻痹耳诱发出了ASNR和VEMP。结论ASNR并非伪迹,而是一种依赖强声刺激,且只出现于极重度感音性聋耳的神经电位。ASNR的出现完全依赖于正常的球囊功能,而不依赖于残余听力或者半规管功能。据此认为ASNR起源感觉器官为球囊,根据其潜伏期推测电位源自前庭神经核。

错误相关负电位(ERN)及其理论解释

错误动作发生后,在个体额叶中部可观察到一个明显的负相电位偏移,这称为"错误相关负电位"(error related negativity,ERN)。有研究者提出了"强化学习理论",认为ERN反映了当前行为结果与预期之间的差异。与此不同的是"冲突监控理论",认为ERN与反应冲突有关。还有研究者提出了"失匹配理论",强调实际反应的神经表征(错误反应)与当前任务所要求的反应表征的差异产生了ERN。在阐述ERN的理论解释基础上,对三者之间的关系进行了分析与整合。

声诱发短潜伏期负电位(ASNR)对听力正常耳的研究

目的探讨ASNR对听力正常耳的研究。方法对20个正常人(志愿者)分别进行气导VEMP短声刺激,记录下VEMP的出现率、潜伏期;再进行气导ABR测试,记录出ABR波,再通过气导强声刺激,骨导噪声掩蔽,诱发ASNR波出现,探讨ASNR波的出现率、潜伏期。结果20个正常人(40只)耳中12耳出现ASNR,出现率为30%,做VEMP测试时,气导短声刺激40耳有19耳诱发出p13和n23波,出现率为47.5%。结论利用高强度短声刺激配合噪音掩蔽在正常人耳能成功诱发ASNR波,说明ASNR只依赖于正常的球囊功能,与其它部位无关。

双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位的对照研究

目的:比较双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位(ERN)的差异及其影响因素。方法:给予42例双相抑郁障碍患者(双相组)、41例首发抑郁障碍患者(首发组)相应药物治疗8周;治疗前后分别给予汉密尔顿抑郁量表17项(HAMD-17)、汉密尔顿焦虑量表(HAMA)、杨氏躁狂量表(YMRS)评估及错误相关负电位(ERN)检测;ERN波幅及潜伏期与40名性别、年龄、受教育年限相匹配的健康对照者(对照组)比较;分析治HAMD-17、HAMA评分与ERN波幅及潜伏期的关系。结果:基线期3组间ERN波幅差异有统计学意义(P<0.05);双相组ERN波幅明显低于对照组及首发组(P均<0.05);双相组和首发组ERN潜伏期及波幅治疗前后比较差异无统计学意义,但双相组治疗前后ERN波幅的差值明显小于首发组(P<0.05)。基线期双相组和首发组HAMD-17评分与ERN潜伏期呈正相关,与ERN波幅呈负相关(P均<0.05);HAMA评分与ERN波幅呈正相关(P均<0.05)。结论:双相抑郁障碍患者对错误信息监控能力受损,且治疗后难以恢复;伴有中度焦虑的抑郁发作患者错误监控功能增强;ERN指标或可以作为双相抑郁识别及疗效预测的生物学标记。

错误相关负电位在精神科临床上推广——附50例正常成人分析

目的：应用引进的德国仪器及新技术探讨并建立健康成人错误相关负电位（ERN）的正常值。方法：应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统，对50例21~55岁健康成人右利手受试者，作了ERN检测。结果：（1）32个头皮记录点皆在约100～150ms处出现了一个负波，健康成人ERN波形较稳定。（2）在Cz、Fz、Pz、C3、C45个脑区，建立了健康成人ERN潜伏期和波幅均值。（3）左右侧比较及男女性别比较差异无统计学意义（P〉0．05）。结论：健康成人ERN较稳定和可靠。ERN可作为一个有临床推广应用价值的ERP而用于神经精神科临床。

老年性抑郁症患者的伴随负电位变异研究

目的 :探讨老年性抑郁症患者的伴随负电位 (CNV)变异。方法 :记录 2 1例老年性抑郁症患者的事件相关电位CNV ,并与 33例正常对照者和 39例非老年期的抑郁症患者的CNV进行比较。结果 :老年性抑郁症患者的CNV变化与非老年期的抑郁症患者的CNV变异基本类似 ,但CNV波幅降低更明显、命令后伴随负电位 (PINV)出现率更高 ,反应时间进一步延长。结论 :CNV可以作为评定老年性抑郁症患者大脑综合功能的辅助方法之一。

错误相关负电位及N400在精神分裂症研究中的应用

精神分裂症是一种重性精神病，人群患病率高达1％。该病侵袭青壮年人群，一旦发病基本丧失劳动能力，并带来社会的不安定因素，并给社会和家庭造成极大的负担。《中国精神卫生工作规划》中已把精神分裂症列为临床头号重大防治疾病。

介绍一种脑电生理新技术—错误相关负电位

错误相关负电位（error—related negativity，ERN）是近年来欧洲和美国广泛应用的新技术，已进入精神科临床，以下作个简单介绍。

负电位粮食储存特性研究

研究了稻谷、玉米和小麦在赋予不同的负电位情况下,在30℃,相对湿度为95%条件下储存,以及将最难保存的水稻脱壳成大米在日常环境下做储存验证试验,结果表明,具有负电位特性的水稻、小麦和玉米的储存期限可以提高10倍以上,这对于我国乃至全球粮食安全和人类的健康提高都具有重大的现实意义。

错误相关负电位与内化心理障碍

错误相关负电位(ERN)是事件相关电位的一个负成分,出现在大脑错误反应后50～100m s,产生于大脑前扣带回皮质(ACC),可以反映大脑的错误检测、冲突监控、强化学习等功能。已有研究发现无论是内化心理障碍还是外化心理障碍均存在ERN活动异常,提示ERN可能属于内化和外化心理障碍的内表型,或许能作为心理障碍早期诊断或预测的客观指标。本文通过国内外文献回顾,试图了解抑郁症、焦虑症和强迫症等内化心理障碍的ERN特点及相关机制,并在此基础上对未来的研究提出一些不成熟的想法。

规律短音中极短间隔短音诱发的失匹配负电位

失匹配负电位（ｍｉｓｍａｔｃｈｎｅｇａｔｉｖｉｔｙ，ＭＭＮ）是听觉事件相关电位的一个成分，它由一系列重复的、同性质的“标准刺激”中的物理性质稍有偏离的“偏差刺激”所诱发。在规律性的标准刺激中，偶然的物理性质稍有偏离的刺激，如频率、强度、久度等的些微变化均可诱发ＭＭＮ。偶然地给于时间上“过早出现”的同样刺激，即频率、强度、久度完全相同，只是在规律性的标准刺激中过早地出现的刺激，作为偏差刺激，也可以诱发出ＭＭＮ。本研究在恒定刺激间隔（ｉｎｔｅｒｓｔｉｍｕｌｕｓｉｎｔｅｒｖａｌ，ＩＳＩ）ＩＳＩ＝６００ｍｓ的标准刺激中给以偶然出现的、时间上“过早出现”的极短间隔偏差刺激，ＩＳＩ各为３００，１５０，７５，６０和５２ｍｓ，均诱发出明显的ＭＭＮ。ＭＭＮ波幅并不因“过早出现”的极短间隔偏差刺激的刺激间隔剧烈缩短而下降。结果有力地证明，时间上“过早出现”的极短间隔偏差刺激所诱发的ＭＭＮ决不可能用不应期假说来解释。

用微机处理负电位值对数曲线回归

目前各县卫生防疫站实验室都配有PC—1500微机。为了减少工作量,减少人为计算差错,本实验室为化学电位测量负毫伏值,设计一条程序。此程序简单、实用,能直接打印出样本的分析结果。 实验室电位测量法,常用负电位值。例如用F电极测F,用糖精钠电极测糖精钠等。测量结果通常用人工对数转换再按直线回归处理。用PC—1500微机进行数据处理。

错误相关负电位及其在精神科的临床应用

精神科患者（如精神分裂症、抑郁症患者等）常出现多种形式的思维异常和行为异常，但自己却不能察觉（自知力丧失或减退）。提示患者对错误[异常思维或（和）行为]的内部监控机制可能出现了问题，因此，在出现异常思维或（和）行为时，不能及时发现并在以后的行为和思维中进行更正。对这些患者的内部错误监控机制进行研究，有助于进一步揭开精神疾病的本质。近年来，很多学者使用事件相关脑电位（event—related brain potentials，ERP）技术来研究精神疾病患者的错误监控机制，并取得了一定进展，我们对该方面的研究作一综述。