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基于负电阻效应的风电场宽频振荡风险评估方法
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作者 邢法财 马琳琳 +2 位作者 陈蕊 周宁 苗伟威 《山东电力技术》 2023年第10期9-17,共9页
针对大规模风电并网引起的宽频振荡问题,基于风力发电机组的频域阻抗模型,从负电阻效应理论出发提出一种适用于工程应用的风电场级宽频振荡风险评估方法。结合山东省内某直驱风电场的收集资料,采用该方法对该风电场的宽频振荡风险进行评... 针对大规模风电并网引起的宽频振荡问题,基于风力发电机组的频域阻抗模型,从负电阻效应理论出发提出一种适用于工程应用的风电场级宽频振荡风险评估方法。结合山东省内某直驱风电场的收集资料,采用该方法对该风电场的宽频振荡风险进行评估,详细介绍该方法的应用流程,重点对风力发电机组的频域阻抗建模方法、风电场的阻抗建模方法及风电场级振荡风险评估方法进行阐述,验证该方法的实用性。算例研究表明,所提方法具有良好的工程实用性,风电机组的端口阻抗确实存在一定的负电阻效应频段,可能会引起一定的宽频振荡问题;且其负电阻效应频段受工况影响较大,在评估风电场级的宽频振荡风险时需要特别考虑工况的影响。 展开更多
关键词 风电场 宽频振荡 阻抗模型 负电阻效应 风险评估
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Mg、Na原子的嵌入对富勒烯C_(50)的电子传输特性与负微分电阻效应的影响
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作者 陈蕾 霍新霞 张秀梅 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期26-30,共5页
采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了Mg、Na原子的嵌入对于C50分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示Mg、Na原子的嵌入明显改变了C50分子的负微分电阻效应,且大大增强了C50分子的电子传输性能.分... 采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了Mg、Na原子的嵌入对于C50分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示Mg、Na原子的嵌入明显改变了C50分子的负微分电阻效应,且大大增强了C50分子的电子传输性能.分析认为,由于Mg、Na原子的嵌入,使得电子输运系数发生偏移而改变了C50分子的电子传输性能和负微分电阻效应. 展开更多
关键词 C50分子器件 微分电阻效应 伏安曲线
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GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究
3
作者 黄川 邓迟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期537-541,共5页
利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应。分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输... 利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应。分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输运特性;十字型GNRFET由于中间的干破坏了原来两边缘的输运路径,其传输系数均不超过1。十字型GNRFET的输出特性具有明显的负微分电阻效应,且栅电压对此有调控作用。从传输谱的角度给出了GNRFET负微分电阻特性的理论解释和栅压调控的能量图,为微纳器件负微分电阻效应的研究提供了一定的理论依据。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带场效应 微分电阻效应 输运特性 密度泛函理论 传输谱
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B原子的掺杂对富勒烯C_(32)的电子传输特性与负微分电阻效应的影响
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作者 霍新霞 张秀梅 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期229-233,共5页
采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼原子的掺杂对于富勒稀C32分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示硼原子的掺杂明显降低了C32分子的电子传输特性,却增强了分子的负微分电阻效应.分析认为,硼... 采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼原子的掺杂对于富勒稀C32分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示硼原子的掺杂明显降低了C32分子的电子传输特性,却增强了分子的负微分电阻效应.分析认为,硼原子的掺杂减少了核外电子是导致分子的电子传输性能降低和负微分电阻效应增强的主要原因.本文还研究了掺杂的硼原子的个数多少对C32分子的影响. 展开更多
关键词 C32分子器件 微分电阻效应 伏安曲线
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锯齿形氮化铝纳米带负阻器件电子输运性质研究
5
作者 黄绛雪 黄启俊 +2 位作者 何进 王豪 常胜 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第2期85-90,共6页
低维纳米带材料因为其结构的特异性而呈现出新奇的物理性质.修饰纳米带的边缘能够调制其电子性质.本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,探究了锯齿形氮化铝纳米带(ZAlNNR)单边氟化、单边氯化以及单边氢化的电子结构和输... 低维纳米带材料因为其结构的特异性而呈现出新奇的物理性质.修饰纳米带的边缘能够调制其电子性质.本文运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,探究了锯齿形氮化铝纳米带(ZAlNNR)单边氟化、单边氯化以及单边氢化的电子结构和输运特性.研究表明:锯齿型氮化铝纳米带可以通过以上手段实现能带结构的半导体-金属转换.计算电子输运特性,我们发现三种边缘修饰的器件均呈现出负微分电阻效应,其中AlN-F器件有最大峰谷电流比(PVCR),达到了1.78×10^(7),是硅烯纳米器件以及黑磷纳米器件的10^(6)倍.值得一提的是,相比于H-AlN-Cove纳米器件,AlN-F器件能够在更小的偏压范围内实现高PVCR.该结果为锯齿形氮化铝纳米带在低功耗纳米器件中的应用提供了广泛的前景. 展开更多
关键词 锯齿形氮化铝纳米带 电子输运 微分电阻效应 第一性原理
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基于ATK的一维分子链负微分电阻效应计算 被引量:1
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作者 伍建春 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第3期47-50,共4页
利用应用第一性原理计算软件Atomistix ToolKit(ATK)计算了由一维线性分子链(CpFeCpV)n和镍电极组成的两电极体系的负微分电阻效应.该计算方法基于电子密度泛函和非平衡态格林函数理论.通过对于不同结构下的伏安特性曲线的计算,我们预... 利用应用第一性原理计算软件Atomistix ToolKit(ATK)计算了由一维线性分子链(CpFeCpV)n和镍电极组成的两电极体系的负微分电阻效应.该计算方法基于电子密度泛函和非平衡态格林函数理论.通过对于不同结构下的伏安特性曲线的计算,我们预测了该体系中的负微分电阻效应,并讨论了末端基团和吸附位置对负微分电阻效应开始电压的有效调控. 展开更多
关键词 一维分子链 微分电阻效应 末端基团 吸附位置
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含过渡金属分子器件中的单自旋负微分热电阻效应
7
作者 邹茜璐 杨希峰 王雪峰 《常熟理工学院学报》 2020年第5期1-3,7,共4页
基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了由锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)与含过渡金属(Tm)(=Cr,Mn,Fe和Ru)分子构成的器件的自旋过滤输运性质.研究结果表明单自旋的波函数失配使其在费米能级附近具有完美的自旋过滤特性,并在温度梯度... 基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了由锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)与含过渡金属(Tm)(=Cr,Mn,Fe和Ru)分子构成的器件的自旋过滤输运性质.研究结果表明单自旋的波函数失配使其在费米能级附近具有完美的自旋过滤特性,并在温度梯度下,由于费米能级附近的单自旋透射峰的Fano不对称性,导致含Ru的分子器件中的单自旋电流表现出明显的负微分热电阻效应(NDTR). 展开更多
关键词 分子器件 微分热电阻效应 第一原理方法
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基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
8
作者 周骏 成建兵 +3 位作者 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期714-717,共4页
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT... 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。 展开更多
关键词 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 微分电阻效应
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双苯环分子自旋过滤效应第一性原理的研究
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作者 许迎莹 尹海涛 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2021年第6期60-64,共5页
分子电子学是近十年来发展起来的一门新兴学科,当器件的尺寸进一步缩小到纳米尺度时,分子电子学有望成为传统电子学的补充甚至替代.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了嵌于石墨烯纳米带电极间的双苯环分子器件的自... 分子电子学是近十年来发展起来的一门新兴学科,当器件的尺寸进一步缩小到纳米尺度时,分子电子学有望成为传统电子学的补充甚至替代.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了嵌于石墨烯纳米带电极间的双苯环分子器件的自旋输运性质.研究发现两电极磁矩平行和反平行时,器件有不同的输运性质.电极磁矩平行时出现完美的自旋过滤效应和明显的负微分电阻效应. 展开更多
关键词 分子器件 自旋过滤效应 微分电阻效应
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硼氮原子取代掺杂对分子器件负微分电阻效应的影响 被引量:5
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作者 范志强 谢芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期434-440,共7页
利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了硼氮原子取代掺杂对三并苯分子电子输运性质的影响.计算结果表明,三并苯分子器件的电流在特定偏压区间内随电压的增加而减小呈现出负微分电阻效应,电流的峰谷之... 利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了硼氮原子取代掺杂对三并苯分子电子输运性质的影响.计算结果表明,三并苯分子器件的电流在特定偏压区间内随电压的增加而减小呈现出负微分电阻效应,电流的峰谷之比高达5.12.用硼原子或者氮原子取代分子的中心原子后,器件0.8 V以内的电流明显增加,但是负微分电阻效应减弱,相应的电流峰谷比分别降至3.83和3.61.分析认为,输运系数在特定偏压下的移动是器件负微分电阻效应的主要成因.核外电子数的差异导致硼氮原子掺杂取代可以使器件轨道及其透射峰分别向高能方向或者低能方向移动从而有效地调控了器件的低偏压下的电子传输能力和负微分电阻效应. 展开更多
关键词 非平衡格林函数 密度泛函理论 电子输运 微分电阻效应
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新型整平剂对电镀铜填通孔的影响及机制探究
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作者 许昕莹 肖树城 +2 位作者 张路路 丁胜涛 肖宁 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第5期92-100,共9页
针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21。通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚... 针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21。通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)与新型整平剂SC-21在电镀铜填充通孔过程中的作用差异。结果表明:以一定浓度SC-21为整平剂时可出现“蝴蝶填充”现象,进而实现对深径比2∶1通孔的无空洞填充;与JGB和PN相比,此浓度下的SC-21在较宽的电流密度范围内具有动态吸附行为,可产生“负微分电阻效应”,使得通孔内呈现与“蝴蝶填充”形状相匹配的沉铜速率梯度,最终实现对通孔的无空洞填充。 展开更多
关键词 通孔填充 整平剂 蝴蝶技术 变电流计时电位法 微分电阻效应
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金纳米线接触构型相关的双重负微分电阻与整流效应
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作者 李永辉 闫强 +1 位作者 周丽萍 韩琴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期343-350,共8页
运用第一性原理密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法,研究了[111]Au纳米线与1,4-二硫苯酚(DTB)构成的分子结的电子输运性质.构建并优化不同的Au-DTB接触构型,计算发现:尖端顶位构型最利于电流输运;非对称构型大多具有很好的整... 运用第一性原理密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法,研究了[111]Au纳米线与1,4-二硫苯酚(DTB)构成的分子结的电子输运性质.构建并优化不同的Au-DTB接触构型,计算发现:尖端顶位构型最利于电流输运;非对称构型大多具有很好的整流特性(最大整流比为25.6);部分结构出现双重负微分电阻(NDR)效应.分析表明,整流效应主要源于非对称接触构型两端S-Au键的稳定性差别;尖端金原子与硫原子的耦合能级中,近费米面的能级对低压区电子传输起主要作用;电压增大,离费米面较远的能级对输运起主导作用,DTB的本征能级也逐渐参与,这一转变致使电流出现两峰一谷的双重NDR效应. 展开更多
关键词 金纳米线 接触构型 微分电阻效应 整流效应
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铁磁Pr_(1-x)Sr_xMnO_3外延薄膜的输运性质与负磁电阻行为 被引量:4
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作者 熊光成 吴思诚 +4 位作者 戴道生 章蓓 刘尊孝 连贵君 甘子钊 《中国科学(A辑)》 CSCD 1996年第8期722-728,共7页
利用脉冲激光淀积法生长了外延Pr(?)Sr(?)MnO_3薄膜(其中x=0.1,0.2,0.3,和0.4).测量了薄膜样品在零场中与外加磁场下电阻率随温度的变化.对X≥0.2的样品在磁场下观察到负磁电阻效应.在logρ-l/T的坐标中,零磁场下的数据在很宽的温区显... 利用脉冲激光淀积法生长了外延Pr(?)Sr(?)MnO_3薄膜(其中x=0.1,0.2,0.3,和0.4).测量了薄膜样品在零场中与外加磁场下电阻率随温度的变化.对X≥0.2的样品在磁场下观察到负磁电阻效应.在logρ-l/T的坐标中,零磁场下的数据在很宽的温区显现很好的线性关系,具有热激活载流于输运特征.由实验数据线性拟合得到在样品成分0.1≤ X≤0.3范围的热激活能约为0.1eV.从对掺杂锰氧化物的电子结构分析出发,对这一材料的绝缘-金属相变,输运性质和负磁电阻行为进行了讨论. 展开更多
关键词 掺杂 锰氧化物 电阻效应 铁磁薄膜 输运性质
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分子旋转对分子器件电子输运性质的影响
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作者 谢芳 张杏堂 +4 位作者 范志强 张小姣 余济海 许华 褚玉芳 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1453-1459,共7页
利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了一种可旋转分子跨接在金电极上的电子输运性质。计算结果表明:分子中的转子与定子间的旋转角度可以有效调控分子器件的电子输运性质。当夹角从30°变化到150... 利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了一种可旋转分子跨接在金电极上的电子输运性质。计算结果表明:分子中的转子与定子间的旋转角度可以有效调控分子器件的电子输运性质。当夹角从30°变化到150°,分子器件的导电性呈现出增强、减弱的震荡变化。此外,当夹角变化到90°,分子器件的电流电压曲线打破其他角度呈现的线性变化特性,其电流值在2.4 V以后随着电压的增大而减小,表现出强烈的负微分电阻效应。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 密度泛函理论 电子输运 微分电阻效应
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Mg原子的嵌入对富勒烯C_(36)的电子结构与传导特性的影响
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作者 霍新霞 张秀梅 王利光 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期888-892,共5页
采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了Mg原子的嵌入对于C3 6分子的电子结构及传导特性的影响.结果显示Mg原子的嵌入明显改变了C3 6分子的负微分电阻效应,且大大增强了C3 6分子的电子传输性能.
关键词 C36分子器件 微分电阻效应 电子传输 伏安曲线
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Ag_(2+δ)Te薄膜的低温纵向磁电阻效应
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作者 梁冰青 王荫君 陈熹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第S1期35-39,共5页
采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的AgTe 多层膜,通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ag2+ δTe 薄膜.Ag2.1Te 薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻,并且出现电阻率和磁电阻的多重峰现象.这可能... 采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的AgTe 多层膜,通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ag2+ δTe 薄膜.Ag2.1Te 薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻,并且出现电阻率和磁电阻的多重峰现象.这可能与Ag 的掺杂浓度δ和测量温度有很大关系,用掺杂的能带理论解释了有关的多重峰现象. 展开更多
关键词 电阻 掺杂浓度 多重峰 多层膜 电阻率ρ 磁输运特性 凝聚态物理 国家重点实验室 巨磁电阻 电阻效应
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异甘草素分子器件输运性质的第一性原理研究
17
作者 黄银生 李竹新 +1 位作者 吴言宁 倪致祥 《阜阳师范学院学报(自然科学版)》 2014年第4期44-48,共5页
基于密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的计算方法,研究了异甘草素分子以不同方式耦合到金电极上时,其耦合程度与结构的伏安特性关系。研究表明,异甘草素分子能够与金电极形成良好的耦合;无论以何种方式耦合,所构成分子器件的电流随... 基于密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的计算方法,研究了异甘草素分子以不同方式耦合到金电极上时,其耦合程度与结构的伏安特性关系。研究表明,异甘草素分子能够与金电极形成良好的耦合;无论以何种方式耦合,所构成分子器件的电流随电压的增大先增大后减小,即存在负微分电阻效应。分子两端分别通过碳和氧原子与金电极耦合的分子结出现负微分电阻效应所需的电压小于两端分别通过硫原子和探针与金电极耦合的分子结;通过对比发现,在电压小于1.56 V时,分子两端分别通过碳和氧原子直接与金电极耦合的分子结的电阻较小,导电能力强。 展开更多
关键词 异甘草素 分子器件 态密度 微分电阻效应
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La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_z薄膜的巨磁电阻效应及其温度关系的研究 被引量:2
18
作者 李可斌 刘玲 +8 位作者 孙建三 许小军 方军 王胜 王福堂 曹效文 李可斌 朱警生 张裕恒 《中国科学(A辑)》 CSCD 1996年第5期457-461,共5页
在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_2薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在T_p=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度T_p要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值... 在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_2薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在T_p=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度T_p要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/R_H=(R_0-R_H)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了. 展开更多
关键词 薄膜 磁阻 巨磁电阻效应 氧化物 温度
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Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究
19
作者 张敏 魏占涛 羊新胜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1064-1067,共4页
主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,M... 主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。 展开更多
关键词 Bi1.85In0.15Se3 单晶 输运性能 电阻效应
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Negative Differential Resistance and Spin-Filtering Effects in Zigzag Graphene Nanoribbons with Nitrogen-Vacancy Defects
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作者 徐婷 黄静 李群祥 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第6期653-658,I0003,共7页
We explore the electronic and transport properties of zigzag graphene nanoribbons (GNRs) with nitrogen-vacancy defects by performing fully self-consistent spin-polarized density functional theory calculations combin... We explore the electronic and transport properties of zigzag graphene nanoribbons (GNRs) with nitrogen-vacancy defects by performing fully self-consistent spin-polarized density functional theory calculations combined with non-equilibrium Green's function technique. We observe robust negative di erential resistance (NDR) effect in all examined molecular junctions. Through analyzing the calculated electronic structures and the bias-dependent transmission coefficients, we find that the narrow density of states of electrodes and the bias-dependent effective coupling between the central molecular orbitals and the electrode subbands are responsible for the observed NDR phenomenon. In addition, the obvious di erence of the transmission spectra of two spin channels is observed in some bias ranges, which leads to the near perfect spin-filtering effect. These theoretical findings imply that GNRs with nitrogenvacancy defects hold great potential for building molecular devices. 展开更多
关键词 Defective graphene nanoribbon Electronic structure Spin-polarized transport property Negative differential resistance Spin-filtering
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