铁磁Pr_(1-x)Sr_xMnO_3外延薄膜的输运性质与负磁电阻行为

利用脉冲激光淀积法生长了外延Pr(?)Sr(?)MnO_3薄膜(其中x=0.1,0.2,0.3,和0.4).测量了薄膜样品在零场中与外加磁场下电阻率随温度的变化.对X≥0.2的样品在磁场下观察到负磁电阻效应.在logρ-l/T的坐标中,零磁场下的数据在很宽的温区显现很好的线性关系,具有热激活载流于输运特征.由实验数据线性拟合得到在样品成分0.1≤ X≤0.3范围的热激活能约为0.1eV.从对掺杂锰氧化物的电子结构分析出发,对这一材料的绝缘-金属相变,输运性质和负磁电阻行为进行了讨论.

非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究

研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应.实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.

有机材料(EDT-DSDTFVO)_2FeCl_4和(EDT-DSDTFVO)_2GaCl_4的磁电阻分析

有机材料(EDT-DSDTFVO)2FeCl4和(EDT-DSDTFVO)2GaCl4的输送实验结果,显示出这两类盐的电阻率对温度的依赖性以及压力效果十分相似,但是两种盐的磁电阻率却表现出很大的不同,FeCl4盐为负磁电阻,而GaCl4盐为正磁电阻。我们认为这种输送现象的差异性起源于π-d相互作用。我们用EDT-DSDTFVO表示ethylenedithiodiselenadithiafulvalenothioquinone-1,3-dithiole methide。

铋锑合金中Weyl费米子的磁输运性质研究

铋锑合金(Bi1-xSbx)的能带结构随x而变化,在拓扑绝缘体和拓扑半金属的研究中具有重要的地位。对Bi0.96Sb0.04的研究表明,该合金的电阻率随温度的升高先升后降,具有典型的半金属特点。在极低温度下可以观察到纵向磁电阻和横向霍尔电阻随外磁场的Shubnikov de Haas振荡,且两者的振荡相位正好相反。随磁场增加的不饱和线性磁电阻可以解释为在具有无能隙或极小能隙材料中,费米面附近电子线性色散关系带来的量子效应。在低温下,通过外加磁场可使简并的Dirac锥电子,分离成不同手性的Weyl电子,在磁场方向与电流方向一致时观察到了手性反常引起的负磁电阻效应。

钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3巨磁电阻p-n结

用激光分子束外延成功地制备出钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n结, 首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和巨磁电阻效应. 其巨磁电阻特性与掺杂的镧锰氧化物是非常不同的, 当温度为300, 200和150 K时, p-n结具有正磁电阻特性; 当温度为100 K时, 在低磁场条件下, p-n结呈现正磁电阻特性, 随着磁场强度的增加, p-n结变为负磁电阻特性. p-n结的磁电阻变化率△R/R0(△R = RH -R0, R0是外磁场为0时p-n结的电阻, RH是外磁场强度为H时p-n结的电阻) 在300 K条件下, 当磁场强度为0.1和5 T时, 达到8%和13%; 在200 K条件下, 当磁场强度为5 T时, 达到41%; 在150 K条件下, 当磁场强度为1 T时, 达到40%; 在100 K条件下, 当磁场强度为0.13和5 T时, 达到10%和-60%.

Ag_(2+δ)Te薄膜的低温纵向磁电阻效应

采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的ＡｇＴｅ 多层膜，通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ａｇ２＋ δＴｅ 薄膜．Ａｇ２．１Ｔｅ 薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻，并且出现电阻率和磁电阻的多重峰现象．这可能与Ａｇ 的掺杂浓度δ和测量温度有很大关系，用掺杂的能带理论解释了有关的多重峰现象．

Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究

主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。

La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_z薄膜的巨磁电阻效应及其温度关系的研究

在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_2薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在T_p=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度T_p要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/R_H=(R_0-R_H)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了.