基于负阻振荡理论设计了一款X波段负阻振荡器,设计旨在提高振荡器的工作效率和加强二次谐波抑制。通过对晶体管直流偏置状态与振荡器工作效率关系的研究,选择合适的直流偏置状态提高了振荡器的工作效率。在输出匹配网络中加载一段1/8工...基于负阻振荡理论设计了一款X波段负阻振荡器,设计旨在提高振荡器的工作效率和加强二次谐波抑制。通过对晶体管直流偏置状态与振荡器工作效率关系的研究,选择合适的直流偏置状态提高了振荡器的工作效率。在输出匹配网络中加载一段1/8工作波长的开路线、选择一个合适的隔直电容,有效抑制二次谐波。实测结果表明,该X波段负阻振荡器振荡频率为10.81 GHz,输出功率为8.02 d Bm,二次谐波抑制度为48 d Bc,振荡器的效率为45%,偏离振荡频率100 k Hz和1 MHz处的相位噪声分别为-91.90 d Bc/Hz和-123.43 d Bc/Hz。该实测结果论证了上述设计方法的有效性,对负阻振荡器的设计提供了一定的参考意义。展开更多
微波振荡器作为通信系统中的关键器件,已经被广泛地研究和设计。因此,设计具有优秀性能的微波振荡器是至关重要的。提出一种具有深度二次谐波抑制性能的新型微波负阻型振荡器。该设计的新颖性在于利用一个装配于双极结型晶体管射极的并...微波振荡器作为通信系统中的关键器件,已经被广泛地研究和设计。因此,设计具有优秀性能的微波振荡器是至关重要的。提出一种具有深度二次谐波抑制性能的新型微波负阻型振荡器。该设计的新颖性在于利用一个装配于双极结型晶体管射极的并联结构(由一段短微带线和电容并联组成)来实现二次谐波抑制。该结构作为振荡器基波信号的反馈元件,同时作为二次谐波处的带阻结构。因为二次谐波没有反馈回路(接地),所以能被极大地抑制。更重要的是在振荡器的输出端无额外的滤波器来抑制二次谐波,这使得电路尺寸得以减小。给出了一个振荡器设计实例,并给出其测试结果来论证理论的正确性。测试结果表明相较于传统振荡器的二次谐波抑制度有25 d B的提高。展开更多
Y98-61305-617 9905972一种 MOSFET-双极非线性负阻振荡器=A class of theMOSFET-bipolar nonlinear negative resistance oscillator[会,英]/Vizireanu,D.N.& Serban,R.//1997 Pro-ceedings of the International Semiconductor Co...Y98-61305-617 9905972一种 MOSFET-双极非线性负阻振荡器=A class of theMOSFET-bipolar nonlinear negative resistance oscillator[会,英]/Vizireanu,D.N.& Serban,R.//1997 Pro-ceedings of the International Semiconductor Conference,Vol.2.—617～620(UV)提出了一种 MOSFET-双极非线性负阻效应。说明了电压-电流方程用数学模型。研究了单模式 LCR网络振荡器的相关非线性微分方程的数学特性。证明了在适合条件下,能够产生小振幅稳定的限定环路振荡。获得了周期解的分析近似值。还将此预计与用数字积分获得的结果进行了比较。展开更多
文摘基于负阻振荡理论设计了一款X波段负阻振荡器,设计旨在提高振荡器的工作效率和加强二次谐波抑制。通过对晶体管直流偏置状态与振荡器工作效率关系的研究,选择合适的直流偏置状态提高了振荡器的工作效率。在输出匹配网络中加载一段1/8工作波长的开路线、选择一个合适的隔直电容,有效抑制二次谐波。实测结果表明,该X波段负阻振荡器振荡频率为10.81 GHz,输出功率为8.02 d Bm,二次谐波抑制度为48 d Bc,振荡器的效率为45%,偏离振荡频率100 k Hz和1 MHz处的相位噪声分别为-91.90 d Bc/Hz和-123.43 d Bc/Hz。该实测结果论证了上述设计方法的有效性,对负阻振荡器的设计提供了一定的参考意义。
文摘微波振荡器作为通信系统中的关键器件,已经被广泛地研究和设计。因此,设计具有优秀性能的微波振荡器是至关重要的。提出一种具有深度二次谐波抑制性能的新型微波负阻型振荡器。该设计的新颖性在于利用一个装配于双极结型晶体管射极的并联结构(由一段短微带线和电容并联组成)来实现二次谐波抑制。该结构作为振荡器基波信号的反馈元件,同时作为二次谐波处的带阻结构。因为二次谐波没有反馈回路(接地),所以能被极大地抑制。更重要的是在振荡器的输出端无额外的滤波器来抑制二次谐波,这使得电路尺寸得以减小。给出了一个振荡器设计实例,并给出其测试结果来论证理论的正确性。测试结果表明相较于传统振荡器的二次谐波抑制度有25 d B的提高。
文摘Y98-61305-617 9905972一种 MOSFET-双极非线性负阻振荡器=A class of theMOSFET-bipolar nonlinear negative resistance oscillator[会,英]/Vizireanu,D.N.& Serban,R.//1997 Pro-ceedings of the International Semiconductor Conference,Vol.2.—617～620(UV)提出了一种 MOSFET-双极非线性负阻效应。说明了电压-电流方程用数学模型。研究了单模式 LCR网络振荡器的相关非线性微分方程的数学特性。证明了在适合条件下,能够产生小振幅稳定的限定环路振荡。获得了周期解的分析近似值。还将此预计与用数字积分获得的结果进行了比较。
