一种无电感高线性有源混频器的设计

提出了一种基于负阻退化技术的2.4 GHz高线性亚阈值混频器,该混频器相对于传统结构而言,增加了两个交叉耦合电容。由于该结构的内部负阻退化技术抵消了寄生电容,因而降低了寄生电容对增益和线性度的影响,改善了增益和线性度。采用基于Volterra级数的小信号模型,分析交叉耦合电容对于输入三阶交调点IIP_3和增益的影响。分析表明该方法确实能够改善IIP_3性能。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计并流片,该芯片大小为0.22 mm×0.2 mm。芯片测试结果表明,该混频器在2.1 mW功耗的情况下,获得了13.4 dB的增益,并且IIP_3高达5.4 dBm。