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RTD与HBT单片集成研究
1
作者
胡海蓉
牛萍娟
+6 位作者
刘宏伟
郭维廉
许丹
于欣
王文新
尚勋忠
吴曙东
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期456-459,516,共5页
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspic...
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。
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关键词
共振隧穿二极管
异质结双极晶体管
单片集成
负阻逻辑单元
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职称材料
题名
RTD与HBT单片集成研究
1
作者
胡海蓉
牛萍娟
刘宏伟
郭维廉
许丹
于欣
王文新
尚勋忠
吴曙东
机构
天津工业大学信息与通信工程学院
中国科学院物理所表面物理国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期456-459,516,共5页
基金
天津市高等学校科技发展基金(20020711)
天津市应用基础研究重点项目(043800811)
文摘
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。
关键词
共振隧穿二极管
异质结双极晶体管
单片集成
负阻逻辑单元
Keywords
Resonant Tunneling Diode(RTD)
Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)
monolithic integrated
negative resistance logic unit
分类号
TN312.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RTD与HBT单片集成研究
胡海蓉
牛萍娟
刘宏伟
郭维廉
许丹
于欣
王文新
尚勋忠
吴曙东
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005
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