应用数学模型指导负阻Gunn器件的电路设计

根据Gunn器件GaAs材料的半导体物理特性 ,由载流子所满足的Poisson方程和电流连续性方程入手 ,分析了器件内部场分布特性 ,并采用数值法获得了Gunn器件的基波大信号特性。将描述Gunn器件谐波特性的数学模型应用到电路设计 ,不需要作进一步参数修正便可得到与实际相符的结果。