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AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离 被引量：3
1
作者 程知群 孙晓玮 +3 位作者 夏冠群 李洪芹 盛怀茂 钱蓉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期375-378,共4页
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩... 对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好. 展开更多
关键词 AlGaInP/GaAs 异质结比极型晶体管 质子注入隔离
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