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三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
被引量:
3
1
作者
朱帅宇
谢生
陈宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期75-81,共7页
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台...
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.
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关键词
铟镓砷
三级台面
雪崩光电二极管
暗电流
边缘电场
贯穿电压
击穿
电压
下载PDF
职称材料
倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响
被引量:
7
2
作者
王航
袁正兵
+4 位作者
谭明
顾宇强
吴渊渊
肖清泉
陆书龙
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第18期10-14,共5页
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度...
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度、电流特性、击穿电压与贯穿电压的影响规律,结果表明,随着倍增层厚度的增加,倍增层内电场强度减小,贯穿电压和击穿电压同时增大,与实验结果吻合。进一步研究发现,当倍增层的厚度小于0.8μm时,击穿电压随着倍增层厚度的增加会先减小后增大,贯穿电压则会单调增大。
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关键词
探测器
雪崩光电二极管
贯穿电压
击穿
电压
分子束外延
ZN扩散
原文传递
题名
三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
被引量:
3
1
作者
朱帅宇
谢生
陈宇
机构
天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室
中国科学院半导体研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期75-81,共7页
基金
国家自然科学基金(No.11673019)
广西精密导航技术与应用重点实验室基金项目(No.DH201710)资助~~
文摘
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.
关键词
铟镓砷
三级台面
雪崩光电二极管
暗电流
边缘电场
贯穿电压
击穿
电压
Keywords
InGaAs
Triple-mesa
Avalanche photodiode
Dark current
Edge electric field
Punch through voltage
Breakdown voltage
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响
被引量:
7
2
作者
王航
袁正兵
谭明
顾宇强
吴渊渊
肖清泉
陆书龙
机构
中国科学技术大学纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室
贵州大学大数据与信息工程学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第18期10-14,共5页
基金
国家重点研发计划(2018YFB2003305)
国家自然科学基金(61534008,61774165,61704186)
+2 种基金
江苏省重点研发计划(BE2018005)
中国科学院科技服务网络计划项目(KFJ-STS-ZDTP-086)
纳米所自有资金项目(Y8AAQ11003)。
文摘
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度、电流特性、击穿电压与贯穿电压的影响规律,结果表明,随着倍增层厚度的增加,倍增层内电场强度减小,贯穿电压和击穿电压同时增大,与实验结果吻合。进一步研究发现,当倍增层的厚度小于0.8μm时,击穿电压随着倍增层厚度的增加会先减小后增大,贯穿电压则会单调增大。
关键词
探测器
雪崩光电二极管
贯穿电压
击穿
电压
分子束外延
ZN扩散
Keywords
detectors
avalanche photodiode
punch-through voltage
breakdown voltage
molecular beam epitaxy
Zn diffusion
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
朱帅宇
谢生
陈宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
下载PDF
职称材料
2
倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响
王航
袁正兵
谭明
顾宇强
吴渊渊
肖清泉
陆书龙
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
7
原文传递
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