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半导体/液结费米能级钉着的理论分析
被引量:
1
1
作者
林仲华
罗瑾
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期608-612,共5页
在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化...
在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。
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关键词
半导体
液结
费米能级钉着
表面态
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职称材料
通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究
被引量:
3
2
作者
洪根深
廖勇明
+4 位作者
廖伟
丁元力
邬瑞彬
刘洪军
龚敏
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期492-494,共3页
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
关键词
6H-SIC
费米
能级
钉
扎
欧姆接触
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职称材料
SiC表面氢化研究
被引量:
6
3
作者
罗小蓉
张波
+1 位作者
李肇基
龚敏
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2006年第11期2191-2194,共4页
该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC...
该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2~1.25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10^-3Ω·cm^2~7×10^-3Ω·cm^2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800~1200℃的高温合金,而且改善了肖特基接触的电学特性。SiC表面模型与实验结果吻合较好。
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关键词
过渡层
氢化
界面态
费米
能级
钉
扎
理想因子
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职称材料
先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展
被引量:
1
4
作者
李永亮
徐秋霞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期829-834,共6页
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和s杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现...
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和s杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应,通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂,可得到具有带边功函数的高K/双金属栅集成。多晶硅/金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。
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关键词
高K材料
金属栅
费米
能级
钉
扎效应
盖帽层
离子注入
功函数
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职称材料
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
5
作者
黄本成
刘英明
+2 位作者
荆学珍
张北超
谢超英
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第1期12-17,22,共7页
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降...
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。
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关键词
自对准硅化物
金属/半导体接触
综述
MIS结构
费米
能级
钉
扎
肖特基势垒
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职称材料
WSe_(2)场效应晶体管的源漏接触特性研究
6
作者
张璐
张亚东
+3 位作者
孙小婷
贾昆鹏
吴振华
殷华湘
《半导体光电》
北大核心
2021年第3期371-374,384,共5页
二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的...
二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的源漏接触特性对器件导电类型及载流子传输特性的影响,通过制备不同金属作为源漏接触电极的WSe_(2)场效应晶体管,发现金属/WSe_(2)接触的实际肖特基接触势垒高低极大地影响了晶体管的开态电流。源漏金属/WSe_(2)接触特性不仅取决于接触前理想的费米能级差,还受到界面特性,特别是费米能级钉扎效应的影响。
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关键词
二硒化钨
双极特性
金属功函数
肖特基势垒
源漏接触
费米
能级
钉
扎
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职称材料
题名
半导体/液结费米能级钉着的理论分析
被引量:
1
1
作者
林仲华
罗瑾
机构
厦门大学化学系物理化学研究所
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期608-612,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。
关键词
半导体
液结
费米能级钉着
表面态
Keywords
Semiconductor/liquid junction, Fermi level pinning, Surface state, n-GaAs electrode, Electroteflection
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究
被引量:
3
2
作者
洪根深
廖勇明
廖伟
丁元力
邬瑞彬
刘洪军
龚敏
机构
四川大学物理系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期492-494,共3页
文摘
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
关键词
6H-SIC
费米
能级
钉
扎
欧姆接触
Keywords
H SiC
Fermi level pinning
Ohmic contacts
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
SiC表面氢化研究
被引量:
6
3
作者
罗小蓉
张波
李肇基
龚敏
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
四川大学物理科学与技术学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2006年第11期2191-2194,共4页
文摘
该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2~1.25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10^-3Ω·cm^2~7×10^-3Ω·cm^2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800~1200℃的高温合金,而且改善了肖特基接触的电学特性。SiC表面模型与实验结果吻合较好。
关键词
过渡层
氢化
界面态
费米
能级
钉
扎
理想因子
Keywords
Transition layer, Hydrogenation, Interface state, Femi level pinning, Ideality factor
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展
被引量:
1
4
作者
李永亮
徐秋霞
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期829-834,共6页
文摘
随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和s杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应,通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂,可得到具有带边功函数的高K/双金属栅集成。多晶硅/金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。
关键词
高K材料
金属栅
费米
能级
钉
扎效应
盖帽层
离子注入
功函数
Keywords
High k material
Metal Rate
Fermi level pining
Capping laver
Ion implantation
Work function
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
5
作者
黄本成
刘英明
荆学珍
张北超
谢超英
机构
上海交通大学材料科学与工程学院
中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第1期12-17,22,共7页
文摘
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。
关键词
自对准硅化物
金属/半导体接触
综述
MIS结构
费米
能级
钉
扎
肖特基势垒
Keywords
salicide
metal-silicon contact
renew
MIS structure
Fermi level pinning
Schottky barrier
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
WSe_(2)场效应晶体管的源漏接触特性研究
6
作者
张璐
张亚东
孙小婷
贾昆鹏
吴振华
殷华湘
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
中国科学院大学
河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室
出处
《半导体光电》
北大核心
2021年第3期371-374,384,共5页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFA0202300)
国家自然科学基金项目(61774168)。
文摘
二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的源漏接触特性对器件导电类型及载流子传输特性的影响,通过制备不同金属作为源漏接触电极的WSe_(2)场效应晶体管,发现金属/WSe_(2)接触的实际肖特基接触势垒高低极大地影响了晶体管的开态电流。源漏金属/WSe_(2)接触特性不仅取决于接触前理想的费米能级差,还受到界面特性,特别是费米能级钉扎效应的影响。
关键词
二硒化钨
双极特性
金属功函数
肖特基势垒
源漏接触
费米
能级
钉
扎
Keywords
tungsten diselenide
ambipolar behavior
metal work function
Schottky barrier
source/drain contact
Fermi level pinning
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体/液结费米能级钉着的理论分析
林仲华
罗瑾
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1989
1
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职称材料
2
通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究
洪根深
廖勇明
廖伟
丁元力
邬瑞彬
刘洪军
龚敏
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
下载PDF
职称材料
3
SiC表面氢化研究
罗小蓉
张波
李肇基
龚敏
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2006
6
下载PDF
职称材料
4
先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展
李永亮
徐秋霞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
5
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
黄本成
刘英明
荆学珍
张北超
谢超英
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016
0
下载PDF
职称材料
6
WSe_(2)场效应晶体管的源漏接触特性研究
张璐
张亚东
孙小婷
贾昆鹏
吴振华
殷华湘
《半导体光电》
北大核心
2021
0
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职称材料
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