半导体/液结费米能级钉着的理论分析

在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。

通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究

作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .

SiC表面氢化研究

该文提出6H-SiC（（0001^-））／SiO2间过渡层的概念和过渡层结构，通过分析过渡层与HF溶液的反应机理，建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键，降低SiC表面的界面态密度，消除了费米能级钉扎，获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC／金属接触的SiC表面处理，在100℃以下制备了理想因子n=1.2～1．25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10^-3Ω·cm^2～7×10^-3Ω·cm^2的SiC欧姆接触，其优点在于不仅避免了欧姆接触800～1200℃的高温合金，而且改善了肖特基接触的电学特性。SiC表面模型与实验结果吻合较好。

先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展

随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺,高K/双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和s杂结合两步全硅化工艺的方案,可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积-刻蚀-再淀积、双高K双金属栅的集成方案,也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应,通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂,可得到具有带边功函数的高K/双金属栅集成。多晶硅/金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。

MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展

介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。

WSe_(2)场效应晶体管的源漏接触特性研究

二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的源漏接触特性对器件导电类型及载流子传输特性的影响,通过制备不同金属作为源漏接触电极的WSe_(2)场效应晶体管,发现金属/WSe_(2)接触的实际肖特基接触势垒高低极大地影响了晶体管的开态电流。源漏金属/WSe_(2)接触特性不仅取决于接触前理想的费米能级差,还受到界面特性,特别是费米能级钉扎效应的影响。