P型赝三元半导体掺Al块体热电材料的热电性能

本文采用湿混热压法制备了P型赝三元半导体掺Al块体热电材料,研究结果表明,掺Al后,在材料中出现了较多的高导电区和高导热区,从而导致电导率和热导率增高;由于金属Al的高载流子浓度也会相应提高材料的整体载流子浓度,同时掺Al会引入更多的界面缺陷,从而引起载流子散射效应增强,散射因子的降低且载流子浓度的升高共同导致Seebeck系数的降低。

N型赝三元半导体掺Sn复合材料的微观结构与热电性能

将Sn粉与N型赝三元半导体粉体材料按一定比例混合,在200℃和550 MPa压强条件下热压制备N型赝三元半导体掺Sn复合材料.分析材料的微观结构和热电性能结果表明,掺入Sn后XRD衍射峰没有发生偏移,Seebeck系数降低而电导率和热导率升高,这主要是掺Sn引起载流子浓度的显著升高导致的.

大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质 。

赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。

Al_(2)O_(3)掺杂N型赝三元半导体复合材料的微观结构与热电性能

采用机械合金化方法制备N型赝三元半导体热电材料,经500℃高温烧结后,与纳米Al_(2)O_(3)粉体充分混合,在200℃下热压成型得到N型Al_(2)O_(3)-(Bi_(2)Te_(3))_(0.9)(Sb_(2)Te_(3))_(0.05)(Sb_(2)Se_(3))_(0.05)复合块体热电材料.微观结构分析和热电性能测试结果表明,高温烧结后材料的结晶度变高;随Al_(2)O_(3)掺杂浓度的增高,材料的电导率和热导率逐渐减小,而Seebeck系数几乎不变.在Al_(2)O_(3)掺杂浓度为0.5 wt%时,热电优值达到2.05×10^(-3)K^(-1).

温差电致冷原理及赝三元半导体致冷材料的性能

本文从温差电致冷原理出发 ,分析了哈师大物理系研制的大尺寸优质半导体致冷材料的主要温差电性能 .