刚柔相嵌液晶高分子的赝二级相变温度

讨论了刚柔相嵌液晶高分子的向列相一各向同性相转变与其分子结构的关系．给出了该一级相变的赝二级相变温度Ｔ＊与这类液晶高分子的液晶基元和间隔基的长度、柔顺性（相关长度）以及它们之间的相互作用的关系的解析表示式．分析了液晶基元与间隔基连接处的表观弯曲（接口效应）对Ｔ＊的影响．文中的结论与实验相符．

金属氢的结合能

给出了金属氢结合能εB 的计算公式 ,并导出金属氢传导电子动能的质量修正因子的表示式为α=m/m =1 - 0 .0 2 871 4r2 s- 0 .0 0 5497r3s.计算结果表明金属氢的结合能εB =0 .42 4 3eV/H .atom =9.781kcal/mol。