用200kV电子显微镜分辨Li1-xNbO2中的Nb和O原子

在远离Scherzer聚焦条件下,用200 kV的高分辨电子显微镜拍摄了Li1-xNbO2(x≈0.7)高分辨像,再借助像解卷处理使之恢复为直接反映晶体投影结构的解卷像。在不同晶体厚度的解卷像上均能清楚地分辨间距为0.153nm的Nb和O原子柱,看不见Li原子。Nb和O原子的衬度随厚度变化的规律符合赝弱相位物体近似像衬理论。从像模拟得知,即使原始像的离焦量接近Scherzer聚焦条件,解卷处理也同样有助于提高像的质量,并分辨开单个的O原子柱。

用200kV高分辨电子显微镜辨认3C-SiC中的硅和碳原子

用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃。测量了结构像中不同厚度区域哑铃的灰度变化,分析了哑铃中二个端点的相对灰度值随厚度的变化关系,结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析,辨认出Si与C原子柱。

球差校正高分辨电子显微像的像衬和解卷处理

本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Scherzer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效性,并以有I2型层错的GaN晶体为例,借助像模拟肯定了解卷处理能用于复原原子分辨率晶体缺陷的结构像。