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超薄铁电膜的居里温度及表面效应(续)
1
作者
凌瑞良
聂鹏飞
《苏州大学学报(自然科学版)》
CAS
2000年第4期66-71,共6页
采用平均场理论下的横场Ising模型 ,得到同时考虑Ωs≠Ω ,Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式 利用所得出的居里温度表达式 ,分别计算了不同层数超薄铁电膜的居里温度与表面赝自旋相互作用和表面隧穿频率的关系 ,通过分析 。
关键词
超薄铁电膜
表面效应
横场Ising模型
居里温度
赝自旋相互作用
薄膜层数
表面隧穿频率
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职称材料
题名
超薄铁电膜的居里温度及表面效应(续)
1
作者
凌瑞良
聂鹏飞
机构
常熟高等专科学校教务处
南京大学物理系
出处
《苏州大学学报(自然科学版)》
CAS
2000年第4期66-71,共6页
文摘
采用平均场理论下的横场Ising模型 ,得到同时考虑Ωs≠Ω ,Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式 利用所得出的居里温度表达式 ,分别计算了不同层数超薄铁电膜的居里温度与表面赝自旋相互作用和表面隧穿频率的关系 ,通过分析 。
关键词
超薄铁电膜
表面效应
横场Ising模型
居里温度
赝自旋相互作用
薄膜层数
表面隧穿频率
Keywords
ultra-thin ferroelectric film
surface effect
transverse field Ising model
critical value.
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超薄铁电膜的居里温度及表面效应(续)
凌瑞良
聂鹏飞
《苏州大学学报(自然科学版)》
CAS
2000
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