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赫兹型微裂纹光场调制增强作用的系统研究
被引量:
2
1
作者
蔡月飞
吕志伟
+4 位作者
李森森
王雨雷
朱成禹
林殿阳
何伟明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第23期173-178,共6页
通过改变裂纹的倾角、宽度和深度参数,模拟了赫兹型裂纹在不同参数下对光场调制能力的不同.模拟发现,倾斜角度为20.9到45之间的裂纹危害最大,倾角大于45小于48.2的裂纹危害也十分大,而倾斜角度为45时的裂纹危害最小.对于30倾角的赫兹型...
通过改变裂纹的倾角、宽度和深度参数,模拟了赫兹型裂纹在不同参数下对光场调制能力的不同.模拟发现,倾斜角度为20.9到45之间的裂纹危害最大,倾角大于45小于48.2的裂纹危害也十分大,而倾斜角度为45时的裂纹危害最小.对于30倾角的赫兹型裂纹,一定范围内,赫兹型裂纹深度的增加会导致其光场调制增强能力呈二次方关系增加,但宽度的增加不会使其光场调制增强作用增加.裂纹深度和宽度的增加可以用来近似裂纹的演化过程,所以裂纹的扩展导致了其光场调制能力的增加,进而导致损伤增长速率的加快,这和e指数损伤增长规律相符.
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关键词
损伤增长
亚表面缺陷
赫兹型裂纹
光场增强
原文传递
题名
赫兹型微裂纹光场调制增强作用的系统研究
被引量:
2
1
作者
蔡月飞
吕志伟
李森森
王雨雷
朱成禹
林殿阳
何伟明
机构
哈尔滨工业大学光电子研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第23期173-178,共6页
文摘
通过改变裂纹的倾角、宽度和深度参数,模拟了赫兹型裂纹在不同参数下对光场调制能力的不同.模拟发现,倾斜角度为20.9到45之间的裂纹危害最大,倾角大于45小于48.2的裂纹危害也十分大,而倾斜角度为45时的裂纹危害最小.对于30倾角的赫兹型裂纹,一定范围内,赫兹型裂纹深度的增加会导致其光场调制增强能力呈二次方关系增加,但宽度的增加不会使其光场调制增强作用增加.裂纹深度和宽度的增加可以用来近似裂纹的演化过程,所以裂纹的扩展导致了其光场调制能力的增加,进而导致损伤增长速率的加快,这和e指数损伤增长规律相符.
关键词
损伤增长
亚表面缺陷
赫兹型裂纹
光场增强
Keywords
damage growth, sub-surface defects, Hertzian crack, light field enhancement
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
O346.1 [理学—固体力学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
赫兹型微裂纹光场调制增强作用的系统研究
蔡月飞
吕志伟
李森森
王雨雷
朱成禹
林殿阳
何伟明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
原文传递
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