一种应用于TD-LTE通信终端的天线设计与研究

运用传统的缝隙刻蚀技术与短路针加载技术,设计了一种构造简单的普通微带天线。同时将由微带线、三角形开口谐振环和缺地陷结构组建的超介质覆层加载到普通微带天线上方,构建形成一种基于超介质覆层的微带天线。MATLAB和HFSS联合仿真结果表明,超介质覆层在1-3GHz频段内具有负等效介电常数和负等效磁导率的特性。与普通微带天线相比,基于超介质覆层微带天线工作频带由原来的1.88-1.92GHz、2.6-2.65 GHz分别扩展为1.86-1.91GHz、2.57-2.64GHz,增益的最小增幅达到0.02d B。设计的超介质微带天线的工作频段和增益均满足了TD-LTE(1.880-1.900GHz、2.575-2.635 GHz)通信要求,其扩频手段和提高增益的方法也为设计性能更为优良的TD-LTE天线提供了一种参考思路。