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纳电子器件中的超低介电常数材料与多孔SiCOH薄膜研究 被引量：1
1
作者 叶超 宁兆元 《物理》 CAS 北大核心 2006年第4期322-329,共8页
65nm以下线宽的纳电子器件,要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质,等离子体增强的化学气相沉积技术制备的硅基纳米多孔薄膜,提供了实现k<2的可能性,多孔SiCOH薄膜成为最具希望的候选材料,但是,纳米孔的... 65nm以下线宽的纳电子器件,要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质,等离子体增强的化学气相沉积技术制备的硅基纳米多孔薄膜,提供了实现k<2的可能性,多孔SiCOH薄膜成为最具希望的候选材料,但是,纳米孔的引入带来了材料其他性能恶化、集成工艺困难、薄膜微结构分析等许多新问题.文章介绍了多孔SiCOH(超)低k薄膜研究的主要进展及面临的挑战. 展开更多
关键词 超低介电常数材料 多孔SiCOH薄膜
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