超低副瓣天线近场测试关键技术探讨

文中就超低副瓣天线近场测试所涉及的若干关键技术和直接影响测试计算精度的各类误差源进行了探讨 .特别对有关的误差分析补偿方法作了全面的阐述 ,提出了具有理论研究和工程实用价值的见解 .通过在西安电子科技科技大学研制的近场测试系统上的计算机仿真和实验研究 ,结果表明 ,只要进一步提高测试系统的硬软件精度 ,并进行严格的误差分析补偿和诊断调整 。

超低副瓣天线平面近场测量截断误差分析

给出了平面近场测量中由于有限扫描面截断所引起的远场相对误差的表达式以及扫描面宽度选择原则 ,用计算机模拟的方法研究了有限扫描面对超低副瓣天线平面近场测量结果的影响 ,得到了一些基本的规律 ,并证实了扫描面宽度选择原则对于超低副瓣天线平面近场测量的适用性和正确性 .

墙壁散射对超低副瓣天线平面近场测量的影响

以二维问题为例 ,基于平面波谱展开理论和几何光学近似 ,利用计算机模拟的方法研究了暗室墙壁散射对超低副瓣天线平面近场测量的影响 。

超低副瓣天线平面近场测量取样方式的新准则

采用实验的方法给出了用平面近场技术测量超低副瓣天线时收发天线之间的近区测试距离以及取样密度的选取准则 ,提出了超低副瓣天线测量对测试系统温度漂移的要求 ,并给出了满足系统温度漂移要求的测试方式。依据新的选取准则 ,实测了最佳角锥喇叭和波纹喇叭天线的 E面方向图。测试结果说明 ,该选取准则具有良好的重复性 ,且重复精度为 60 d B± 2 d

随机误差对超低副瓣天线平面近场测量的影响

导出了平面近场测量中近场幅相随机误差所引起的误差谱的解析表达式。利用计算机模拟和统计平均的方法研究了近场幅相随机误差对超低副瓣天线平面近场测量结果的影响 ,并给出不同口径尺寸的超低副瓣天线的平面近场测量 ,为保证- 5 5 d B副瓣± 5 d B的测试精度 。

超低副瓣天线测试中几项误差的分析

通过实际测试的方式,分析了超低副瓣天线测试中探头与被测天线的互耦、接收机幅度线性、系统相位误差、泄漏和串扰及随机幅相误差对-50 d B副瓣影响的不确定度。结果给出了这几项误差对-50 d B副瓣影响的不确定度,这对超低副瓣天线测试中误差的分析提供了一定的数据参考。

超低副瓣天线平面近场测量采样间距误差分析

基于超低副瓣天线测试对精度的要求,利用计算机模拟的方法研究了平面近场测量中采样间距误差对超低副瓣天线副瓣的影响,得到了一些规律和有用的结果,并证明了Nyquisty采样定理在超低副瓣天线测试中的适用性和正确性。

混沌免疫算法应用于超低副瓣天线阵优化研究

文章分析了六角形排列的平面阵列天线的远场分布,介绍了基于混沌理论的混沌免疫算法,结合六角形平面阵列天线实例及超低副瓣要求,给出了基于该算法的阵列天线方向图优化方法,得出了超低副瓣方向图。仿真结果表明,混沌免疫算法收敛速度快,搜索效率高,具有良好的应用前景。

超低副瓣阵列天线的公差分析

对Ｓ波段超低副瓣阵列天线中的线阵和面阵的相关误差、非相关误差与平均误差副辨电平、最大误差副辨电平之间的各种关系进行了分析，得到了一些有用的公式和图表。实验证明水平（Ｅ）面在３００ＧＨｚ内最大副瓣电平低于－４０ｄＢ，宽角副瓣电平低于－５０ｄＢ，垂直（Ｈ）面内在中心频率处最大副瓣低于－３８．７ｄＢ，交叉极化最大副瓣电平低于－４０ｄＢ。

基于文化算法的超低副瓣方向图综合

根据场景的不同,阵列天线阵列形式灵活多样,传统的切比雪夫综合法受到算法的限制已无法适应所有的阵列形式。文化算法是一种新颖的进化算法,具有全局多变量寻优、收敛速度快等优势,构建了合理的适应性函数,使用文化算法架构多变量数值迭代算法综合出超低副瓣方向图的阵列单元加权矩阵。通过matlab软件的运算与仿真,对比了不同阵列形式下多种方法的综合结果,验证了文化算法对超低副瓣方向图综合的有效,体现了其综合结果的性能优势,而其在算法的通用性方面可弥补切比雪夫综合法不能有效求解的不足,有着更为广泛的应用范围。

对天线副瓣电平测量误差的分析

通过分析研究超低副瓣天线测量时的主要误差源,并对天线测量时副瓣电平的误差进行分析,以便为准确测量超低副瓣天线等高性能天线服务.

天线与微波技术国防科技重点实验室

天线与微波技术国防科技重点实验室是天线与微波技术领域的国家级重点实验室。1992年经国防科工委批准建设,1998年建成并向国内开放。实验室依托单位是中国电子科技集团公司第14研究所和西安电子科技大学,实验室设南京分部(固定人员56人)和西安分部(固定人员40人),其中中国工程院院士2人,研究员25人,教授19人。

天线与微波技术国防科技重点实验室

天线与微波技术国防科技重点实验室是天线与微波技术领域的国家级重点实验室。1992年经国防科工委批准建设,1998年建成并向国内开放。

减小平面近场测量中多次反射误差的新方法

本文给出了用平面近场技术测量超低副瓣天线时 ,平面近场测量总误差与天线远场方向图副瓣电平的误差方程 ,并进行了计算机仿真 ;提出了减小平面近场测量中探头天线与待测天线间多次反射误差和微波暗室电特性误差对超低副瓣天线所引入的测量误差的“自校准法” ,实验结果说明该方法是解决平面近场测量中多次反射和微波暗室电特性误差较为理想的方法 .

平面近场测试中截断误差的分析

截断误差作为平面近场测试中几大重要误差项之一,对其的分析是十分必要的。分别从计算机仿真和实际测试的角度对截断误差对远场副瓣的影响进行了分析。此次分析方式结合天线方向图的特点,从全域角度对误差进行评估,结果更为可靠和精确,并得到了一些有用的规律和结果,为超低副瓣天线测试中误差的分析提供一定依据。

平面近场测试中误差的分析

首先介绍了暗室中主要的误差项,然后通过实际测试的方式,分析了其中四项误差对超低副瓣天线-50dB副瓣的不确定度。结果对超低副瓣天线副瓣的误差分析有一定的参考意义,有助于天线设计师了解超低副瓣天线测试中误差项对副瓣的影响量级。

天线与天线阵

0623134宽带印刷天线与双极化微带及波导缝隙天线阵= Broadband printed antennas and dual-polarized microstrip and waveguide slot antenna arrays[刊,英]/汪伟//上海大学学报(英文版)．—2006,10(3)．—282(E) 0623135宽带超低副瓣天线阵设计[刊,中]/孙绍国//电讯技术．—2006,46(3)．—87-92(G)描述了由16元线阵组成的L频段宽带超低副瓣天线阵的设计,给出了设计过程中所解决的各项关键技术及所采用的技术途径,以及一些设计数据和测试结果。天线近场测试表明,所研制的天线在优于25%频带内天线峰值副瓣电平低于-38dB,垂直面扫描30±°时,天线峰值副瓣电平低于-35dB。