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题名一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
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作者
娄义淳
杜承钢
闵睿
郑倩
杨发顺
马奎
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机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州辰矽电子科技有限公司
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期742-748,共7页
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基金
贵州省科技计划项目(黔科合支撑[2023]一般283)。
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文摘
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。
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关键词
双极型
带隙基准源
超低温漂
Brokaw模型
二阶补偿
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Keywords
bipolar
bandgap reference source
ultra-low temperature drift
Brokaw model
second-order compensation
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分类号
TN710.4
[电子电信—电路与系统]
TN431.1
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种超低温漂低功耗全CMOS基准电压源
被引量:3
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作者
周茜
邓进丽
岳宏卫
朱智勇
龚全熙
孙晓菲
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机构
桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室
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出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第6期769-773,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11264009
61465004)
+2 种基金
广西区教育厅高校科研资助项目(YB2014135)
桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(YJCXS201514
2016YJCX92)
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文摘
提出了一种超低温漂、低功耗亚阈值全CMOS基准电压源。利用工作在亚阈值区的3.3V MOS管与1.8V MOS管的栅源电压差,产生具有负温度系数的ΔVTH和具有正温度系数的VT,经过相互调节,得到与温度无关的基准电压。采用了共源共栅电流镜,以降低电源抑制比(PSRR)和电压调整率。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-22℃-142℃温度范围内,温度系数为2.8×10^(-6)/℃;在1.33.3 V电源电压范围内,电压调整率为0.48%;频率为100Hz时,PSRR为-62dB;功耗仅为191nW,芯片面积为0.005mm2。
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关键词
基准电压源
超低温漂
低功耗
亚阈值
共源共栅电流镜
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Keywords
Voltage reference source
Ultra low temperature coefficient
Low power dissipation
Subthreshold
Cascode current mirror
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种新颖的无运放高性能带隙基准设计
被引量:6
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作者
王豪
代国定
唐文海
卓景铸
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机构
西安电子科技大学电子工程学院超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第6期799-803,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61871453)。
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文摘
基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源。该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压,消除了运放失调电压的不利影响。电路在Cadence Spectre下仿真。仿真结果表明,设计的输出电压为1.228 V;在-40℃至125℃的温度范围内,温度系数为1.47×10^(-6)/℃;在1 kHz时的PSRR约为-86 dB;线性调整率为6.5×10^(-5)/V。
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关键词
无运放
高阶补偿
超低温漂
带隙基准
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Keywords
op-amp-free
high-order compensation
ultra low temperature drift
bandgap reference
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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