第二代超低电流电压检测器NCP302/NCP303系列ICs及应用

NCP302和NCP303系列ICs是安森美公司生产的第二代超低电流并带有可编程延时的电压检测器。文中介绍了NCP302和NCP303系列器件的引脚排列、内部结构和主要特性 ,最后给出了该两系列电压检测器件的几种应用电路。

用低噪声4200-SCS半导体特性分析系统进行超低电流测试

文章介绍用4200-SCS进行低电流测试的几个重要的影响因数,包括接地,屏蔽,测试中的噪声和系统稳定时间。

一种超低静态电流ACOT降压转换器

在可穿戴和物联网等应用领域,电池通常为系统供电。为保证系统能长时间待机,需要电源芯片具有超低待机电流。为降低待机功耗,在空载进入休眠模式时关断大部分电路,仅保留低功耗振荡器(LP_OSC)、电压基准的采样保持电路和低功耗比较器(LP_CMP),待机电流仅为430nA。为保证良好的负载瞬态响应,设计了自适应恒定导通时间(ACOT)架构。该架构具有瞬态响应好、电流连续模式频率稳定、环路稳定性好等特点。该芯片可提供最大600mA的负载电流,峰值效率可达96%,在输入电压为5V、输出电压为3.3V、带载电流为10μA时,效率大于80%。

一种超低静态电流LDO线性稳压器的设计

为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。

新拓扑超低压大电流开关电源的研究与实现

集成电路构成的信息化系统功耗不断增加,能耗巨大,超低压供电的低功耗集成电路芯片的出现降低了系统能耗,除此之外许多特种行业也需要超低压大电流电源。为适应这些负载的需求,超低压大电流开关电源得到了快速发展,在该领域国内与国外相比存在较大的差距,有必要设计自主知识产权的高性能低压大电流电源。对新拓扑结构超低压大电流电源进行了仿真分析和实物测试,设计的低压大电流开关电源实现了1 V/35 A,0.7 V/20 A的指标,在实现更低电压和更大电流指标上有显著改善提高,而且结构简单,但是效率和纹波指标不高,还有待提升。

大电流超低压差输出可设定稳压器MSK5012

MSK5012是一款输出电流大、输出电压可设定、超低压差线性稳压集成电路。主要特点：最大输出电流可达10A；输出电压范围从1．3～36V；输出电压允差±0．3％（典型值）：负载调整率±0．5％（典型值）；电压调整率±0.3％；超低压差（10A输出时，压差典型值045V，转换效率高）：静态电流小，典型值4．5mA；纹波抑制（f=120Hz）4．5dB；外壳与内部电路绝缘；5管脚TOP封装；工作温度范围：工业级为-40～＋85℃（无后缀或后缀为E，E表示高可靠型），军品级为-55～＋125℃（后缀为B）。

生物纳米孔道技术在非基因测序方面的研究与应用

纳米孔道分析技术是一种低成本、快速、无需标记的单分子检测技术,仅有20多年的发展历史,在DNA单分子测序领域展示出较好的应用前景,现已有商业化的产品面世且趋于成熟。越来越多的研究表明,纳米孔可作为一个通用的单分子传感器。本文综述了生物纳米孔道分析技术对蛋白质、多肽和核酸等单个分子与孔道间相互作用、动力学和热力学过程的实时监测以及多种生物大分子和金属离子的定量检测等方面的研究进展。在纳米孔技术中,电化学检测系统也十分重要,本文还特别介绍了高带宽及超低电流分辨仪器和相关软件的相关进展。

基于1倍/1.5倍电荷泵的高效率恒流LED驱动电路设计

完成了一种具有极低脱落压差(LDO)、恒流、低纹波、亮度可连续或分级调节的高效率LED驱动电路。采用自适应电荷泵技术实现1倍/1.5倍模式之间的自动转换,并通过采用超低压差电流调节技术优化了模式转换点从而保证高效率。采用linear模式控制,保证了低输入纹波和EMI辐射。LED亮度可以用外部数字控制或使用PWM信号连续调节。该芯片可以驱动4支并联的白光LED,并保证亮度相同。输入电压范围2.7～6.5V,工作温度范围-40～+85℃。驱动效率在80%以上,最高可以达到90%。

多种技术与芯片在便携式及移动式等设备中延长电池寿命中的有效举措

本文将对纳米级供电与高精度的监控器与无毛刺监控器在便携式及移动式等设备中延长电池寿命与储存时间、实现更多功能应用方案中的有效举措作重点研对。

半导体激光器亚微安级低噪驱动电路设计与稳定性分析

为满足精密测量等领域对半导体激光器的波长稳定性、相位噪声等指标的严苛要求,提出基于系统传递函数理论推导论证与仿真验证相结合的分析方法,并由此设计改进了一款半导体激光器的高稳低噪恒定电流驱动电路。绘制了电流驱动电路的交流小信号模型和交流通路,对电路参数和系统稳定性的关系进行了理论分析,并引入噪声抑制网络对电路进行改进,通过Tina-TI仿真验证了改善后的驱动电路在2 MHz带宽内的噪声抑制能力和稳定性。实验结果表明,恒流驱动电路在3 KHz~2 MHz宽带内交流噪声有效值为224 nA,连续驱动电流2.5 h稳定度优于1.904×10^(-6),1 h光功率积分时间1 s时的稳定度为1.177×10^(-5)。仿真与实验基本相符,驱动电路具有较高的稳定性和噪声抑制能力,同时,该分析方法对半导体激光器的超低噪声的驱动电路设计和优化具有普遍的理论指导意义。