聚集诱导发光分子在双光束超分辨光存储中的潜在应用

聚集诱导发光分子因其高效的发光性质而被广泛应用于生物成像、光波导和电致发光等领域,但在光信息存储领域还鲜有研究。与其他光存储材料相比,聚集诱导发光分子的局域密度变化会引发荧光强度的变化,这在光存储领域是一个显著优点。该文针对聚集诱导发光分子的特性,讨论了该类分子在超分辨光存储领域的可能应用方式,以及需要解决的关键问题。

Super-RENS超分辨光存储实验研究

实验在基于传统相变光盘(CD R/W)的测试系统上进行。在一定的写入功率和脉宽条件下对su per RENS样片进行静态记录,并和传统CD R/W作对比实验,用扫描电镜(SEM)观察两种盘结构上的记录点,从微观形貌、尺寸参数等方面进行深入研究比较。实验结果表明,使用相同的记录系统和在完全相同的写入条件下,super RENS上的记录符小于CD R/W上的记录符,尺寸减小可达40%。

面向产业化应用的双光束超分辨数据存储技术

光学数据存储技术虽然在存储寿命和功耗上具有显著优势,但在应对大数据纵深发展趋势时,目前的一些光存储技术在容量和密度方面面临严峻的挑战。相比于其他光存储技术,双光束超分辨光学数据存储技术在光学大数据存储产业化方面展现了明显的容量和密度优势。本文针对双光束超分辨光存储技术,全面介绍了该技术在光存储技术产业化应用中亟待解决的核心关键问题,并着重讨论了解决这些问题所需要采用的基本方法。

超高密度光存储研究进展

当前,全球数据量正处在爆发式增长阶段,为光存储领域带来了巨大的发展机遇。受光学衍射极限的制约,传统光存储技术的密度难以满足海量数据的存储需求。为了提升光存储密度,人们开发了三维空间、偏振、波长等多维信息复用技术,同时,随着纳米技术的发展,现已突破衍射极限实现超分辨纳米信息存储。本文介绍了超高密度光存储领域的发展现状,总结了多维信息复用技术和超分辨光存储技术的代表性研究成果,梳理了不同技术方案可提升存储密度的理论极限。此外,本文还介绍了本课题组基于双光束超分辨光存储技术实现单盘拍比特(Pb)存储量级的最新研究进展,并展望了超高密度光存储面向大数据应用的挑战和发展趋势。

磁光超分辨近场结构存储技术

介绍分析了近场存储基本原理和现状,对实现磁光近场存储的一种新方法-磁光超分辨近场结构的应用原理、最新进展及发展方向进行了综述。

超高密度磁光存储及其介质研究进展

短波长 (蓝光 )磁光存储、磁光超分辨近场结构光存储 (Super RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术 ,文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理 ,并对其研究现状及发展前景作了全面综述 .