光致变色二芳烯掩膜及在近场光存储中的应用

合成了在超分辨率近场结构(Super-RENS)存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯,旋涂法制备了实验存储盘片,并进行了近场存储实验.初步的实验表明,光致变色二芳烯掩膜层可以缩小聚焦激光的直径,得到小尺寸记录信息.掩膜层中二芳烯的浓度,对近场存储结果影响很大,存在一个最佳浓度使记录光斑的尺寸减少到最小.

光掩膜超分辨率光存储机理

利用光致变色介质的非线性效应特性制成掩膜 ,可以实现超分辨率光存储。根据光化学原理建立的静态光斑模型表明 :介质的这种非线性特性是由局部反应宏观速率的不均匀性造成的 ,总宏观速率与局部宏观速率差异越大 ,掩膜效果越好。根据上述原理制成反射、透射两种实验样片 ,静态测试实验表明 :光致变色掩膜层浓度大时 ,光致变色反应宏观速率的不均匀性加大 ,介质的非线性特性增强 ;曝光时间越短 ,介质的非线性特性越强。