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LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的生长及结构分析
被引量:
4
1
作者
郝兰众
李燕
+3 位作者
邓宏
刘云杰
姬洪
张鹰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期346-347,共2页
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过...
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为 17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小。超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同。
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关键词
LaAlO3/BaTiO3
超品格薄膜
RHEED
临界厚度
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职称材料
题名
LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的生长及结构分析
被引量:
4
1
作者
郝兰众
李燕
邓宏
刘云杰
姬洪
张鹰
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期346-347,共2页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(51310z)
文摘
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为 17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小。超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同。
关键词
LaAlO3/BaTiO3
超品格薄膜
RHEED
临界厚度
Keywords
Crystal microstructure
Film growth
Film preparation
Molecular beam epitaxy
Superlattices
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的生长及结构分析
郝兰众
李燕
邓宏
刘云杰
姬洪
张鹰
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
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职称材料
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