超声雾化喷涂法制备抗血小板膜糖蛋白单克隆抗体洗脱支架及其生物相容性研究

采用超声雾化喷涂法制备抗血小板膜糖蛋白单克隆抗体洗脱支架。以涂层均匀度和接触角大小来优化壳聚糖单抗涂层参数,在外层喷涂一层左旋聚乳酸作为屏蔽层控制单抗SZ-21的释放速度。通过溶血率检测涂层支架的血液相容性;MTT实验和细胞粘附实验考察涂层支架的细胞相容性。对支架表面涂层进行SEM和EDS分析,结果表明,聚合物和单抗成功涂层到支架表面,且涂层均匀。涂层支架溶血率低于国家标准的5%,涂层支架对血管内皮细胞没有产生明显的毒副作用;涂层支架有良好的细胞相容性,利于细胞在支架上生长。具有屏蔽层的单抗SZ-21涂层支架较没有涂层屏蔽层的单抗SZ-21涂层支架的SZ-21释放明显成缓慢释放,无暴释现象。

超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究

报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。

超声雾化喷涂的透明导电SnO_2:F多晶薄膜

SnCl_4·5H_2O和NH_4F的水溶液经超声雾化后喷涂到高温(400～500℃)的普通玻璃上热解形成掺氟二氧化锡(SnO_2∶F)透明导电多晶薄膜.由扫描电镜、X射线衍射、电导率和紫外可见光谱实验研究,得出了膜的喷涂条件、微观结构和膜的电学光学性能之间的定性对应关系.

超声雾化喷涂工艺制备醋酸纤维素多孔膜

聚合物多孔膜在纳米合成、生物电子、清洁能源等新兴领域扮演着重要的角色。为探索面向高性能多孔膜制备的新工艺,基于相转变原理,采用超声雾化喷涂技术实现了孔径、孔隙率可调的醋酸纤维素多孔膜制备。多孔膜的孔隙率随着"聚合物-溶剂-非溶剂"三元体系中非溶剂比例提高而提升,其孔径可通过改变喷头与基底间的距离予以调控。基于"醋酸纤维素-丙酮-水"三元体系,采用醋酸纤维素质量分数为2%、醋酸纤维素与水质量比为1∶4的前驱体溶液,在喷头与基底间距为3 cm的条件下制备了平均孔径为171 nm、孔隙率为58%、断裂强度为3. 42 MPa的醋酸纤维素多孔膜。与流延工艺相比,超声雾化喷涂技术制备的醋酸纤维素多孔膜具有更规整的孔结构,提高了其在纳米合成、锂电池和生物传感等领域中的应用潜力。

基于Notch信号通路抑制剂的多功能血管支架涂层制备及表征

炎症反应贯穿动脉粥样硬化(AS)全过程,且与AS病变部位血管支架植入后的一系列不良事件高度相关,包括支架内再狭窄(ISR)、晚期血栓(LST)以及支架内新生动脉粥样硬化(ISNA)等。在诸多炎性疾病(包括AS)的发生及进展过程中,Notch信号通路均被异常激活。因此,Notch信号通路抑制剂(NSPI)的装载有望减轻炎症,进而缓解支架植入并发症。基于此,本工作提出了以聚乳酸-羟基乙酸共聚物(PLGA)为载体,采用超声雾化喷涂法将Notch信号通路抑制剂RO4929097装载于支架表面的改性策略,构建NSPI/PLGA多功能血管支架。研究结果表明,NSPI/PLGA血管支架的RO4929097有效释放长达30 d,可同时实现抑制炎症反应、促进内皮细胞增殖和抗平滑肌细胞增殖以及抗凝血等多种功能,在介入治疗领域具有极大的应用潜力。

一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。

采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。

常压下铌掺杂二氧化钛薄膜的制备与光学性能研究

本文以Nb掺杂TiO_(2)为研究对象,以获得更高结晶性、光学特性的TiO_(2)为目标,通过超声雾化热解喷涂法,在常压下成功制备出掺杂Nb的TiO_(2)薄膜。本文研究了TiO_(2)结晶性能、光谱吸收性质以及光致发光强度的影响规律,探索了提升掺杂TiO_(2)的性能可能途径。实验结果表明:铌掺杂二氧化钛薄膜,在(101)晶面上具有一定的优先取向,当掺杂浓度达到5%,表现出最佳结晶性能;随着掺杂浓度的提升,样品的光透过率呈现出先上升后下降的趋势,当掺杂浓度达到5%时,表现出最佳光学性能,光致发光强度总体表现良好,但随着掺杂浓度的上升,总体呈现出下降趋势。掺杂浓度对二氧化钛薄膜的性能产生显著影响,当Nb掺杂浓度5%时,各项性能均表现良好。

半导体材料

0015951激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究[刊]/刘传珍//液晶与显示.—2000,15(1).—46～51(B) 0015952超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究[刊]/周之斌//固体电子学研究与进展.—2000,20(2),—229～233(D)0015953软损伤吸杂作用机构的分析[刊]/夏玉山//固体电子学研究与进展.—2000,20(2).—223～228(D)用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构:当热氧化时软损伤诱生热氧化层错,当外延生长时软损伤诱生半环形位错,硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。