超大规模集成电路适应性测试方法综述

随着现代半导体工艺的迅猛发展,超大规模集成电路(VISI)的研发和制造技术日臻成熟,一个普通芯片,甚至由几亿个晶体管组成。随着集成电路设计和制造复杂度的提高,工艺技术的不断创新,电路测试难度大幅度提升,测试成本飙升,因此,自适应测试的发展至关重要,动态地调整测试流程,消除测试模式冗余,减少了测试时间,提升了测试效率,降低了测试成本。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的探讨

集成电路是信息化产业建设发展的重要内容,然而近些年,随着超大规模集成电路精细化程度的不断提高,硅片平坦化技术遇到了发展瓶颈问题。为了解决此类问题,文章先分析了硅片平坦化技术研究现状,包括化学机械抛光技术原理和具体应用,随后介绍了超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术全新进展,包括固结磨料加工、游离磨料研磨抛光、电化学机械抛光、能场辅助抛光等技术,希望能给相关人士提供有效参考。

超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术研究

超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术是一种通过使用激光来检测集成电路芯片上的缺陷和欠缺的技术。这项技术可以帮助生产商在生产过程中及时发现并修复芯片上的缺陷,提高芯片的质量和性能。激光缺陷检测技术使用激光器对集成电路芯片进行照射,激光的功率和频率可以根据需要进行调节。激光照射后,通过激光反射或透射的特征来检测芯片上的缺陷,对反射或透射光进行分析,可以确定芯片的质量和性能,更好的为芯片的生产制造带来参考。因此,本文在研究中将进一步展开对芯片缺陷以及激光缺陷检测技术的分析,在此基础上,探讨超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术,更好的确定芯片缺陷的类型和程度,提高集成电路芯片质量。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。

日本超大规模集成电路项目合作开发的启示

通过回顾1976年日本通产省所成功组织的超大规模集成电路研发项目,着重分析了日本政府在VL- SI研究项目中的组织方式、联合研究项目的技术和参与成员选择、联合实验室的组织形式、资源分配等方面所发挥的重要作用,在此基础上,指出了政府在构建以企业为主体的研发机制中应特别注意在研发成员组成、技术领域、组织形式等方面的选择。

面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法

随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果.

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 .

化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展

随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状.

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了

超大规模集成电路的无损内窥显微分层体视检测

当今世界已进入信息时代。信息时代的主要基础是计算机、通讯和自动化设备及其软件。而这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生着的数量巨大的信息，需要对其进行处理、传输、存储、显示、打印和应用，这就需要研制和生产集成度更高的集成电...

基于PCI总线的超大规模集成电路边界扫描测试系统

采用现场可编程门阵列 (FPGA)和PCI 90 5 2目标接口芯片 ,实现了符合PCI总线规范和IEEE 114 9 1标准的超大规模集成电路边界扫描测试系统 ,具有对系统级、PCB级和芯片级集成电路进行边界扫描测试的功能 ,结构简单、速度快。

超大规模集成电路的板级测试研究

为检测以超大规模集成电路为核心的电子设备,设计了基于边界扫描技术的电路测试系统。对超大规模集成电路进行板级测试,并提出在互连网络两端的边界扫描单元分别做输出操作的针对互连测试和簇测试过程的测试方法。测试结果表明:利用该方法,提高了超大规模集成电路板级故障的分辨能力,获得了更好的测试效果。

超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究

通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大 3个微观结构变化的阶段 .上述 3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程 ,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路 (VLSI)

超大规模集成电路设计平台建设初探

着重介绍了依托学校IC设计中心,以学科建设为目标,建设超大规模集成电路设计平台。建设方案既注重软硬件优化配置、性价比、系统的实用可靠及先进水准,又提出公用平台的共享管理措施。所提出的平台建设方案及管理经验可供有关院校借鉴。

超大规模集成电路系统设计课程实践教学改革与实践

超大规模集成电路系统设计课程是计算机工程专业方向的学科基础课,是一门理论和实践紧密结合的课程。文章提出把该课程的实践分为课程实验、自主实验和课程设计3种类型,3种类型的实验全部基于Nexys3 FPGA开发板进行设计,同时阐述考试方式改革方法。

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。

超大规模集成电路的可制造性设计

以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

日本超大规模集成电路研究组合的若干经验

一九七六年至一九八零年,在日本通产省的主持下,日本最大的五家计算机公司(富士通、日本电气、日立、东芝和三菱电机)组成“超大规模集成电路技术研究组合”(以下简称“超LSI组合”或“组合”),共同研究为制造超LSI所必要的技术。经过四年的努力,“组合”不仅在技术上取得了成功,而且为国家主持大型技术开发项目提供了不少成功的经验。

超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究

在分析硅衬底的抛光机理的基础上,主要讨论了抛光液对硅衬底抛光质量的影响,同时对抛光液中各成分的选择作了分析研究,采用不含钠离子的有机碱和高效的无钠螯合剂减少了金属离子的玷污,对活性剂影响吸附的作用机理进行了分析,得到了一种小粒径、高速率和低损伤的无钠抛光液。