超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的探讨

集成电路是信息化产业建设发展的重要内容,然而近些年,随着超大规模集成电路精细化程度的不断提高,硅片平坦化技术遇到了发展瓶颈问题。为了解决此类问题,文章先分析了硅片平坦化技术研究现状,包括化学机械抛光技术原理和具体应用,随后介绍了超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术全新进展,包括固结磨料加工、游离磨料研磨抛光、电化学机械抛光、能场辅助抛光等技术,希望能给相关人士提供有效参考。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

超大规模集成电路的可制造性设计

以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

超大规模集成电路制造工艺中的光刻及掩模技术

本文着重介绍了超大规模集成电路生产工艺中的关键工艺掩模及光刻技术的国际国内概况，比较详细地叙述了1：1投影光刻技术和1：1与5：1Stepper掩模及光刻技术，并且介绍了为使光刻质量的提高，采用掩模保护膜技术的原理，对我国集成电路制造工艺的提高具有一定的参考作用。

超大规模集成电路制造工厂照明设计

结合《洁净厂房设计规范》与超大规模集成电路制造工厂的特点 ,阐述了照明电源、照度标准、备用照明、照明灯具的选择及安装等 。

超大规模集成电路多层互连新技术

1998年6月在美国加州硅谷Santa Clara举行了第15届国际超大规模集成电路多层互连技术会议(International VLSI Multilevel Interconnection Conference—VMI(-98)。参加会议的有美国、亚洲和欧洲各大半导体器件公司、研究机构和大学的数百位专家和技术人员。会上发表论文145篇,其中大会报告63篇,张贴展示82篇。

用激光器制造超大规模集成电路

日本东亲芝浦电气公司最近利用紫外线激光器的化学反应,研制成功了一种新型的超大规模集成电路制造技术。这项新技术是向放置在氯气中的硅衬底照射激光束蚀刻出电路图形的。

向着VLSI（超大规模集成电路）化发展——数据驱动型微处理机的开发

夏普公司和三菱电机公司在大阪大学寺田浩诏教授的指导下，共同开发了采用能高度并行处理的数据驱动方式的新一代微处理机，这次完成了基础技术的研制井予以发表．由此可以看出，公司在面向实用化者面前进了一大步。

关于超大规模集成电路系统设计的讨论

为了明确超大规模集成电路的设计的理想方法,文章从超大规模集成电路系统的设计要求开始,通过对VLSI系统设计一般方法的研究,重点研究了利用Verilog硬件描述语言的设计,总结出了层次化是VLSI设计的优化方法。

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。

超大规模集成电路的并行测试技术

本文介绍先进的VLSI并行测试技术的原理和实现方法 。

MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用

氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0．18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中，MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及，钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出，但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上，MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。

超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础

2.1 增强型与耗尽型NMOS晶体管NMOS集成电路中最小单元是两种场效应晶体管,即增强型和耗尽型NMOS场效应管,分别简称为NMOS(E)和NMOS(D),其符号和结构如图2.1所示。

发展航天 振兴中华——中国航天工业总公司大规模、超大规模集成电路检测与失效分析中心成立大会简述

为了控制大规模集成电路(LSl)、超大规模集成电路(VLSI)的质量,确保航天型号和武器装备的可靠性,经过几年的筹划和建设,中国航天工业大规模、超大规模集成电路检测和失效分析中心于1999年5月12日正式在北京成立。中国航天机电集团总经理夏国洪出席会议,为中心挂牌揭幕并讲了话。出席会议的还有航天总公司质量局、科研局、供销总公司、九院的领导邵锦成、朱明让、白敬武、奚为政、陶家渠、张俊超、白丁等。国防科工委科技质量司代表到会祝贺。会议由张俊超副院长主持。

超大规模集成电路先进闪存存储器成套工艺与产品技术研发及产业化

主要完成人：吴汉明、朱一明、仇圣桑、舒清明、李绍彬、何卫、杨芸、胡洪、胡建强、刘铭、邹陆军、苏志强、沈强、冯骏、韩飞 完成单位：易创新科技股份有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 该成果从自主研发的90纳米和65纳米基础成套工艺出发，开发NOR flash成套产品和工艺，并实现量产。在产品设计开发方面，研发了高速数据接口等电路设计技术大幅提升数据编程／读写效率，实现业界最高读出速度：通过编程算法、器件性能设计技术和产品成本控制技术等多重优化，