氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规...氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及,钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出,但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上,MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。展开更多
文摘氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及,钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出,但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上,MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。