超大规模集成电路制造工厂照明设计

结合《洁净厂房设计规范》与超大规模集成电路制造工厂的特点 ,阐述了照明电源、照度标准、备用照明、照明灯具的选择及安装等 。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的探讨

集成电路是信息化产业建设发展的重要内容,然而近些年,随着超大规模集成电路精细化程度的不断提高,硅片平坦化技术遇到了发展瓶颈问题。为了解决此类问题,文章先分析了硅片平坦化技术研究现状,包括化学机械抛光技术原理和具体应用,随后介绍了超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术全新进展,包括固结磨料加工、游离磨料研磨抛光、电化学机械抛光、能场辅助抛光等技术,希望能给相关人士提供有效参考。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

超大规模集成电路的可制造性设计

以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

超大规模集成电路多层互连新技术

1998年6月在美国加州硅谷Santa Clara举行了第15届国际超大规模集成电路多层互连技术会议(International VLSI Multilevel Interconnection Conference—VMI(-98)。参加会议的有美国、亚洲和欧洲各大半导体器件公司、研究机构和大学的数百位专家和技术人员。会上发表论文145篇,其中大会报告63篇,张贴展示82篇。

用激光器制造超大规模集成电路

日本东亲芝浦电气公司最近利用紫外线激光器的化学反应,研制成功了一种新型的超大规模集成电路制造技术。这项新技术是向放置在氯气中的硅衬底照射激光束蚀刻出电路图形的。

MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用

氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0．18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中，MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及，钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出，但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上，MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。

超大规模集成电路先进闪存存储器成套工艺与产品技术研发及产业化

主要完成人：吴汉明、朱一明、仇圣桑、舒清明、李绍彬、何卫、杨芸、胡洪、胡建强、刘铭、邹陆军、苏志强、沈强、冯骏、韩飞 完成单位：易创新科技股份有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 该成果从自主研发的90纳米和65纳米基础成套工艺出发，开发NOR flash成套产品和工艺，并实现量产。在产品设计开发方面，研发了高速数据接口等电路设计技术大幅提升数据编程／读写效率，实现业界最高读出速度：通过编程算法、器件性能设计技术和产品成本控制技术等多重优化，

集成电路可制造性设计中器件参数的提取

分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。

集成电路制造的超洁净工程分析

洁净室工程始于业主新建厂房计划,在业主确定建厂计划后,会联系具有设计资质的设计商为工厂做整体设计方案,由于洁净室工程在厂房建设中处于重要地位,故在工程设计的过程中设计方会和业主反复沟通,确定洁净厂房的建造方案和技术标准。

集成电路:领唱产业强市“新锡剧”

作为国家创新型城市之一,无锡是国内集成电路产业的发祥地,全国第一块超大规模集成电路就诞生在无锡。从发祥地的先发优势,到经受挤压而发展放缓,再到抢抓新一轮信息技术发展黄金期、打造新时代“东方硅谷”,大力发展集成电路这一被称为“工业粮食”的产业,不仅是无锡大力发展高端制造业的重要抓手,做强经济实力、重塑竞争优势的优先选项,也是无锡在万亿元GDP能级上领唱新一轮产业强市“新锡剧”的明智抉择。

CMP在集成电路非金属材料平坦化中的应用(Ⅰ)

化学机械抛光（CMP）工艺由IBM于1984年引入集成电路制造工业，并首先用在后道工艺的金属间绝缘介质（IMD）的平坦化，然后通过设备和工艺的改进用于钨（W）的平坦化，随后用于浅沟槽隔离（STI）和铜（Cu）的平坦化。化学机械抛光（CMP）为近年来IC制程中成长最快、最受重视的一项技术。其主要原因是由于超大规模集成电路随着线宽不断细小化而产生对平坦化的强烈需求。本文重点介绍CMP在集成电路中的非金属材料的平坦化应用。

最新发现与创新：我国集成电路核心装备研发取得重大突破

9月28日，国家863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”，通过科技部与北京市组织的项目验收。业主企业北京北方微电子公司和北京中科信公司与我国最大的集成电路工厂中芯国际公司分别签订刻蚀机和离子注入机的批量采购合同。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售．标志着我国集成电路制造核心装备研发取得重大突破。中共中央政治局委员，北京市委书记刘淇．科技部部长徐冠华．科技部副部长马颂德出席签字仪式。

集成电路制造工厂的运营安全风险评估

分析表明,我国半导体工厂的生产规模逐步扩大,生产所需的设备也愈发先进,这就对半导体厂的运营安全提出了更高的要求。结合集成电路制造工厂的典型结构、工艺流程,阐述芯片制造工厂运营的安全风险量化评估方法。

集成电路芯片制造工厂的设计分析

结合近年来主持的多个集成电路芯片工厂设计经验,通过建筑布局和建筑消防两个方面对于此类工厂的设计要点进行探讨。内容包括竖向布置和平面布置(底层柱网、SB支持区、新风机房),以及火灾危险性分类、防火分区、防泄爆、专用消防口设置。

世界上最复杂的制造业——芯片制造工厂Fab

半导体芯片制造业应该是我们见过所有制造业里面最为复杂,最有科技含量的制造业了,半导体制造业和传统的制造业一样,必须要充分利用产能使得单位成本降低,所以必须走量填充产能才能盈利形成规模化效应。半导体工厂的运作系统非常复杂,不可能靠某一个部门或某一个英雄就可以完成的,而需要整个团队互动合作。本文分析芯片工厂的运作要点。

数智精耕,以实赋实,走进新华三未来工厂

在“数字大脑”的指挥下,机械臂在集成电路板上挥舞,60s内贴合7000多个比蚂蚁还小的零部件,旁边是半人高的AGV无人运输车,有序穿梭在生产车间里……在杭州萧山区,一座集合了5G、人工智能和工业互联网等新技术的新华三未来工厂,成为智能工厂建设的一面旗帜。近日,在由机械工业信息研究院旗下《智能制造》杂志与新华三集团联合主办的2023智能制造高端沙龙期间,近百位来自制造业信息化领域的企业领导和技术专家一道参观了新华三未来工厂。