最小面积电源和地线网络的设计

本文讨论了集成电路芯片中单一压焊块树形结构电源／地线网络的线宽设计给定电源（地）线的布线拓扑结构，在满足最大可允许电压降、最小工艺线宽和金属电迁移等约束的条件下使整个电源（地）网络所占用的布线面积最小本文采用拉格朗日乘子算法实现了这个目标，不仅取得比较小的电源布线面积。

一种用于模式识别的电流型模糊处理器

本文提出了一种用于模式识别的电流型模糊处理器。该处理器采用“加权求和”的综合函数，并且极重可以调节，以利于系统的自适应处理。另外，该处理器可以按照综合隶属度大小的顺序依次输出综合隶属度以及相应的标准模式，这将十分有利于改善硬件系统的性能，尤其是多级级联系统的性能。我们采用单层金属、单层多晶的2μmN洪标准数字CMOS工艺成功地制作了该模糊处理器芯片。测试结果表明，该处理器芯片的性能很好。

深亚微米芯片设计的研究

为了满足深亚微米芯片的高速性能,一方面要精确地定位电路各部分的延迟模型,另一方面必须把实际布图后互连延迟信息返标到逻辑综合环境。研究了深亚微米芯片设计中的时序模型、线网的线负载模型及EDA工具上的实现过程。

解读无核产业第二回 化蛹成蝶与作茧自缚

随着IC技术的进步，20世纪90年代出现了SoC（System．On Chip的缩写，称为系统级芯片，也称为片上系统）概念，SoC是以深亚微米工艺和IP核（具有特定电路功能的硬件描述语言程序，可植入不同的IC工艺，发明人拥有知识产权）为支撑的超大规模IC。SoC的发展对电子电路来说是一个化蛹成蝶的技术革命。下面我们将化蛹的技术变革概括为4个方面。

多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析

利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析，发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的，而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论，分析了该过渡区产生的原因，并利用＂幸运载流子＂模型，定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载流子注入效应的影响。

“国家集成电路设计产业技术创新服务联盟工作研讨会”在深召开

“国家集成电路设计产业技术创新服务联盟工作研讨会”日前在深圳召开。国家科技部原副部长马颂德、国家“核高基”重大专项专家组组长魏少军教授、国家“核高基”重大专项专家组专家王志华教授和时龙兴教授、国家863计划超大规模IC设计重大专项办公室主任张金国、北京华大九天软件有限公司总经理刘伟平、八个国家集成电路设计产业化基地及香港科技园的负责人等出席了研讨会。此次会议由联盟副理事长兼秘书长张金国主任主持，研究讨论了联盟近期的工作重点，并就下一步的工作进行部署。